דור שבבי ה-Haswell הוא הרביעי במשפחת מעבדי ה-Core i והשני, אחרי Ivy Bridge, המיוצר בטכנולוגיית 22 ננו-מטר. לפי הנהוג באינטל וכן לפי חוק מור הממשיך להיות בתוקף מאז 1965, דור השבבים הבא של אינטל עתיד להתבסס על טרנזיסטורים קטנים אף יותר. השבוע אינטל יצאה בהודעה רשמית וחשפה פרטים אודות שבבים חדשים המיוצרים בטכנולוגיית 14 ננו-מטר ונושאים את השם Broadwell. כמה מהם צפויים להשקה עוד השנה.
ההודעה מגיעה לאחר מספר דחיות במועד ההשקה של דור השבבים החדש. על פי התכנון המקורי, שבבי ה-Broadwell היו אמורים להגיע לשוק בסוף 2013, אך קשיים בתהליך הייצור עיכבו את ההשקה. באינטל מסבירים כי תשואת התפוקה בתהליך הייצור החדש בטכנולוגיית 14 ננו-מטר הייתה נמוכה משציפו, ושהנסיון הראשון לפתרון הבעיה לא הניב את התוצאות הרצויות. כעת, תהליך הייצור פועל בקצב תקין, ובחברה מעריכים כי במהלך השנה הבאה תשואת התפוקה תגיע לרמה בה נמצא היום תהליך הייצור ב-22 ננו-מטר.
וידאו המסביר על החדשנות הטכנולוגית של הטרנזיסטורים ב-14 ננומטר
שבבי ה-Broadwell צפויים להציע שיפורים רבים לעומת שבבי Haswell הקיימים. אחד השיפורים המרכזיים הוא מבנה מחודש של טרנזיסטורי ה-Tri-Gate שנועדו להתמודד עם בעיה הנובעת מהקטנת המימדים הפיזיים שלהם. ככל שהטרנזיסטורים קטנים, קטן שטח הפנים בין מצע הסיליקון לשער בקרת הזרם. כתוצאה מכך, קטן הזרם המירבי שיכול לזרום בטרנזיסטור במצב עבודה וגדל ערך דליפת הזרם במצב מנוחה.
טרנזיסטורי ה-Tri-Gate מציעים מבנה בעל סנפיר המתרומם ממצע הסיליקון השטוח ובכך מאפשרים שטח פנים גדול לבקרת הזרם באמצעות שלושה שערים במקום שער בודד בטרנזיסטור שטוח. בשבבי ה-Broadwell, אותם סנפירים נעשו גבוהים יותר ומוקמו קרוב יותר אחד לשני. הדבר מאפשר שטח פנים גדול יותר עבור “שכבת ההיפוך” בין מצע הסיליקון לשערים על גבי מערך הטרנזיסטורים הצפוף.
שיפור מבנה הטרנזיסטורים יחד עם השיפורים האחרים, מסתכם בביצועים גבוהים פי שניים משבבי Haswell עבור הספק אנרגיה זהה. נתון זה יאפשר ליצרניות החומרה ליישם באמצעות שבבי Broadwell שיפורים מהותיים בקטגוריות מוצרים קיימות ואפילו להציג קטגריות חדשות שלא התאפשרו קודם לכן. מכשירים המופעלים באמצעות מעבד Broadwell יוכלו להציע חיי סוללה כפולים במימדים פיזיים זהים או לחילופין – מימדים קטנים יותר עם יכולת עיבוד וחיי סוללה זהים.
מחדשת את הקטלוג כולו
אינטל מתכוונת לחדש את כל קו הדגמים שלה תחת דור השבבים החדש, כאשר שבבי ה-Broadwell הראשונים שיוצגו יהיו מסדרת M המיועדת לשימוש בטאבלטים ובמחשבים – זו תחליף את סדרת Y הקיימת. במדרג הביצועים, שבבים אלו ממוקמים בין שבבי ה-Atom המציעים חסכון משמעותי באנרגיה וביצועים בסיסיים לשבבים מסדרת U, שניתן למצוא במרבית המחשבים הניידים בקטגוריית ה-UltraBook. מכשירים ראשונים עם שבבים אלו יהיו זמינים לרכישה לקראת עונת החגים בארה”ב.
בשלב זה אינטל איננה מוסרת פרטים אודות שאר הדגמים שיוצגו מאוחר יותר, אך אם השקת הדור החדש תהיה דומה להשקתם של שבבי ה-Haswell, אנו צפויים לראות את דגמי ה-Core i3, Core i5 ו-Core i7 בחודשים הראשונים של 2015, ומעט מאוחר יותר גם דגמים חדשים מסדרת Celeron, Pentium ו-Xeon.
עוקבים? כל החדשות מגאדג'טי
חלק מהפוסטים באתר כוללים קישורי תכניות שותפים, עבורם נקבל עמלה עם ביצוע רכישה בפועל של מוצרים. עמלה זו לא מייקרת את העלות הסופית של המוצרים עבורכם.
הסקירות והתכנים המופיעים באתר מהווים המלצה בלבד, וכך יש להתייחס אליהם. כל המחירים המופיעים באתר נכונים ליום הפרסום בלבד והאחריות לקניית מוצר או שירות כזה או אחר מוטלת עליך בלבד – השימוש באתר בהתאם לתנאי השימוש והפרטיות.