חברת סמסונג (Samsung) הודיעה באופן רשמי על סיום הפיתוח והמעבר לייצור שבבי 7nm LPP EUV מתקדמים המספקים יעילות שטח מוגברת עם ביצועים משופרים וצריכת חשמל מופחתת שתאפשר לחברה להציע מגוון מוצרים משופרים.

הייצור החדש של סמסונג בטכנולוגיית 7nm בצריכה חשמלית נמוכה LPP (ר”ת Low Power Plus) עם טכנולוגיית EUV (ר”ת extreme ultraviolet) הוא השדרוג המשמעותי הגדול של בית היציקה (Foundry) של החברה, המחזק את מעמדה כיצרנית שבבים מובילה.

בניגוד לטכנולוגיית ה-ArF (ר”ת argon fluoride) הקיימת, המשתמשת באורך גל ארוך יותר של 193nm עם עד 4 “מסכות” ליצירת שכבה בודדת, טכנולוגיית ה-EUV משתמשת באורך גל של 13.5nm משופר עם עד 20% פחות “מסכות” המאפשרים חיסכון בזמן ובעלות ליצירת השבבים.

טכנולוגיית ה-7LPP עם EUV מאפשרת לשבבים החדשים שיפור יעילות שטח של עד 40% עם 20% שיפור ביצועים או צריכה חשמלית מופחתת של עד 50% לעומת טכנולוגיית ה-10nm FinFET של החברה, כשהיא צופה שעד 2020 היא תגדיל את יכולת הייצור שלה בטכנולוגיית ה-EUV עם המפעל החדש הנמצא בתהליכי בניה זאת בנוסף למפעל ה-S3 ב-Hwaseong קוריאה שמייצר את השבבים כעת.

ההכרזה החדשה של סמסונג מכניסה את החברה למועדון מצומצם מאוד של יצרנים המסוגלים לייצר שבבי 7nm יחד עם TSMC, בזמן ש-GlobalFoundries הודיעה על השהיית המעבר ל-7nm. הייצור שבבים המשופר יאפשר לסמסונג לייצר שבבים טובים יותר בעלי ביצועים משופרים וצריכה חשמלית נמוכה יותר.