סמסונג מציגה את טכנולוגיית ה-MBCFET לייצור בתהליך 3nm

במהלך פורום Samsung Foundry Forum 2019 המתקיים בארה”ב הכריזה חברת סמסונג (Samsung) על טכנולוגיית ייצור מתקדמת בשם MBCFET (ר”ת Multi-Bridge-Channel FET), גרסה מותאמת וייחודית לסמסונג של ייצור GAA (ר”ת Gate-All-Around) שתשמש אותה בייצור 3nm עתידי תחת השם 3GAE כשהיא נועדה להחליף את טכנולוגיית ה-FinFET בה משתמשים היום.

בעוד שסמסונג הודיעה באפריל האחרון על גמר פיתוח ייצור 5nm, בדומה ל-TSMC, החברה לא נחה ומשחררת ערכת עיצוב ייצור PDK (ר”ת Process Design Kit) בגרסה 0.1 ל-3GAE שצפויה להציג שיפור של עד 45% בגודל השבבים עם צריכה חשמלית נמוכה בעד 50% או שיפור ביצועים של עד 35% בהשוואה לייצור בתהליך 7nm.

טכנולוגיית ה-GAA בייצור GAAFET משתמשת ב”נאנו צינורות” (Nanowire), כשסמסונג שיפרה את העיצוב עם ה-MBCFET המבוססת על GAA, אך משתמשת ב”נאנו משטחים” (Nanosheet) בעלי שטח מגע גדול יותר המשפר את ביצועי הטכנולוגיה.

טכנולוגיית ה-FinFET בה משתמשים היום שיפרה את טכנולוגיית ה-Planar FET כשהעלתה את כמות ה”שערים” (Gates) בערוץ מ-1 ל-3. עם הגעת טכנולוגיית ה-GAA כמות השערים גדלה שוב ל-4 שערים לערוץ בהשוואה ל-3 של FinFET.

אחד היתרונות של טכנולוגיית MBCFET של סמסונג היא הגמישות הרבה המאפשרת לסמסונג לשלוט על רוחב ה”נאנו משטחים” תוך שהטכנולוגיה תואמת לייצור ה-FinFET, מה שמאפשר לשתף ציוד וטכנולוגיה ביניהם ולהאיץ על ידי כך את הפיתוח.

השוואה בין PFET, FinFET ו-GAA (מקור סמסונג)

השוואה בין PFET, FinFET ו-GAA (מקור סמסונג)

בזמן שטכנולוגיית ה-3GAE בייצור 3nm תהווה שיפור נוסף על פני טכנולוגיות ה-7nm ו-5nm, הבשורה הגדולה האמיתית היא טכנולוגיית ה-GAA שתחליף את ה-FinFET. בעוד שסמסונג תשתמש בטכנולוגיית ה-MBCFET הייחודית שלה, אין ספק כי אנו צפויים לקבל גם טכנולוגיית GAA מ-TSMC, המתחרה האחרונה והיחידה למעשה של סמסונג בייצור שבבים מתקדם.

מקורות
samsung
samsung
במאגר הקופונים שלנו כבר ביקרתם?
סמארטפונים וגאדג'טים במחירים נוחים ובמשלוח ישיר עד הבית
לחצו כאן
תגובות לכתבה
גאדג'טי | Gadgety
ניווט באתר
קטגוריות
גאדג'טי
חיפוש כתבות