הדור השלישי של שבבי ה-4D NAND מבית SK Hynix מגיע עם 176 שכבות

SK hynix

יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על סיום פיתוח הדור השלישי של שבבי הזיכרון 4D NAND, עם שבב NAND חדש המגיע בנפח 512Gb בעל עם 176 שכבות בתצורת TLC, המציע ביצועים משופרים לעומת שבב 3D NAND רגיל.

טכנולוגיית ה-4D NAND של SK Hynix הוצגה לראשונה על ידי החברה ב-2018, כשהדור הראשון של שבב ה-4D NAND הגיע עם 96 שכבות ולאחר מכן בדור השני עם 128 שכבות ב-2019. בניגוד לשבבי 3D NAND רגילים, שבבי ה-4D NAND משתמשים במבנה 3D NAND מסוג CTF (ר”ת Charge Trap Flash) בתוספת טכנולוגיית PUC (ר”ת Peri. Under Cell) של SK Hynix המעבירה את רכיב ה-Peri מהמקום הרגיל לחלקו התחתון, מה שיוצר את המימד ה”רביעי”.

בעוד ששבב ה-NAND הראשון בעל 176 שכבות שייך לחברת מיקרון, שהכריזה עליו בחודש נובמבר, שבב ה-4D NAND החדש של SK Hynix יציע לדברי החברה פרודוקטיביות ביט (bit productivity) משופרת ב-35% לעומת הדור הקודם, עם שיפור מהירות קריאת נתונים של 20% ושיפור מהירות העברת הנתונים ב-33%, מ-1.4Gbps בדור הקודם ל-1.6Gbps בדור החדש.

>> הצטרפו לערוץ הטלגרם של גאדג'טי

שבב ה-4D NAND בעל 176 שכבות (מקור SK Hynix)

שבב ה-4D NAND החדש צפוי להיות זמין לראשונה במכשירי סלולר במהלך אמצע 2021, ולהציע שיפור של עד 70% במהירות הקריאה ו-35% במהירות הכתיבה, כאשר בהמשך הוא יהפוך לזמין גם בפתרונות ה-SSD של החברה.

שבבי ה-NAND, על הטכנולוגיות השונות שלהם, הם בין הרכיבים הבסיסיים והחשובים ביותר בתחומי טכנולוגיה רבים, בהם מכשירי הסלולר וכונני ה-SSD, כאשר מדור לדור ניתן לראות שיפורים משמעותיים במהירות העברת הנתונים של השבבים, מה שמתורגם בסופו של דבר לביצועים טובים יותר בעבור משתמשי הקצה.

השוואת מפרטים