שבבי הזיכרון מהדור הרביעי של SK Hynix יספקו מהירות גבוהה יותר וצריכת חשמל נמוכה

SK hynix

יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על תחילת ייצור המוני של שבבי זיכרון DRAM בייצור 1a, הדור הרביעי של ייצור ה-10nm בו משתמשת החברה, המשלב בייצור את טכנולוגיית ה-EUV (ר”ת Extreme ultraviolet lithography) המאפשרת שיפורים רבים לעומת הדור הקודם, בהם יכולת להגדיל את התפוקה של השבבים ב-25%, דבר קריטי במצב הנוכחי של שוק השבבים העולמי.

שבב ה-DRAM הראשון שישתמש בייצור ה-10nm החדש של SK hynix מהדור הרביעי (1a) יהיה זיכרון LPDDR4 בנפח 8Gb שיציע את המהירות הגבוהה ביותר לזיכרון LPDDR4 של 4266Mbps, תוך שהוא שומר על צריכה חשמלית הנמוכה ב-20% לעומת הדור השלישי (1z). החברה צפויה להשתמש בטכנולוגיה החדשה בייצור זכרונות ה-DDR5 כבר בתחילת 2022.

>> הצטרפו לערוץ הטלגרם של גאדג'טי

עם זאת, היתרון הגדול במעבר לייצור ה-1a החדש הוא הגברת יכולת ייצור שבבי ה-DRAM עצמם, כאשר לפי החברה מדובר על יכולת לייצר בתפוקה הגבוהה ב-25% מאותה פרוסת סיליקון (וייפר), דבר שצפוי לעזור להקל על משבר ייצור השבבים הנוכחי ממנו סובלת התעשייה העולמית, לפחות בתחום ה-DRAM.

שבבי זיכרון DRAM בייצור 1a החדש עם EUV (מקור SK Hynix)

תחום הייצור של זכרונות ה-DRAM שונה מעט מייצור השבבים הרגילים. בעוד שזכרונות ה-DRAM ממשיכים להיות מיוצרים בייצור 10nm, טכנולוגיית הייצור עצמה משופרת עם “תתי-דורות”, בהם הדור הראשון (1x), הדור השני (1y), הדור השלישי (1z) ועכשיו הדור הרביעי (1a) שמציג את השיפור הגדול ביותר עם תוספת טכנולוגיית ה-EUV.

השוואת מפרטים