ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הכריזה על סיום פיתוח שבב הזיכרון HBM3E Shinebolt, זיכרון HBM3E (ר”ת High Bandwidth Memory 3 Extended) חדש המיועד לשימוש בתחום הבינה המלאכותית.
השבב מגיע לראשונה בתעשיה עם 12 שכבות (12H) ונפח גבוה של 36GB, כאשר הוא מציע קצב העברת נתונים של 1.28TB/S לשיפור של עד 34% באימון מודלי AI לפי החברה.
שבב ה-HBM3E החדש של סמסונג מציע לראשונה אפשרות לערום 12 שכבות של זכרונות HBM3E בשבב בודד לקבלת נפח אחסון של 36GB עם קצב העברת מידע של 9.8Gbps בכל פין או מהירות העברת נתונים כללית של 1.28TB/s, שיפור מהירות ונפח של מעל 50% בהשוואה לשבבי ה-HBM3 8H הקודמים של החברה.
השבב החדש משתמש בייצור ה-10nm-Class מהדור הרביעי של החברה ומשלב לראשונה שימוש בשכבת TC NCF (ר”ת thermal compression non-conductive film) דקה במיוחד להפרדה בין שכבות הזיכרון השונות, שכבה דקה במיוחד בעובי של 7 מיקרומטר, המאפשרת לשבב ה-HBM3E החדש להגיע בעובי זהה לשבב בעל 8 שכבות.
הזיכרון החדש נועד במיוחד לשימושים בתחום הבינה המלאכותית, כאשר לפי סמסונג שימוש בשבב ה-HBM3E 12H יכול להאיץ בעד 34% את מהירות האימון הממוצעת של מודלי AI בהשוואה לזכרונות HBM3 8H מהדור הקודם.
שבב זיכרון ה-HBM3E החדש של סמסונג צפוי לעבור לייצור המוני במהלך החציון הראשון של 2024.
עוקבים? כל החדשות מגאדג'טי
חלק מהפוסטים באתר כוללים קישורי תכניות שותפים, עבורם נקבל עמלה עם ביצוע רכישה בפועל של מוצרים. עמלה זו לא מייקרת את העלות הסופית של המוצרים עבורכם.
הסקירות והתכנים המופיעים באתר מהווים המלצה בלבד, וכך יש להתייחס אליהם. כל המחירים המופיעים באתר נכונים ליום הפרסום בלבד והאחריות לקניית מוצר או שירות כזה או אחר מוטלת עליך בלבד – השימוש באתר בהתאם לתנאי השימוש והפרטיות.