סמסונג (Samsung) הודיעה כי היא החלה בייצור המוני של שבבי זיכרון V-NAND מהדור התשיעי בתצורת QLC (ר”ת Quad-Level Cell) ובנפח של 1Tb, לראשונה בתעשייה. השבבים מציעים מהירות כתיבה כפולה לעומת הדור הקודם לצד אמינות משופרת בכ~20% וצריכה חשמלית נמוכה יותר בעד 50%, כאשר הם מיועדים לתת מענה לעידן ה-AI החדש.
לאחר שהכריזה בחודש אפריל השנה על ייצור המוני של שבבי V-NAND מהדור התשיעי בתצורת TLC, סמסונג עוברת לייצור שבבי QLC חדשים, שנועדו לתת מענה לצרכים של תעשיית המחשוב בתחום ה-AI, הצורכת נפח אחסון רב בשרתים. הטכנולוגיה הנמצאת בשימוש בשבבים תתרחב בהמשך גם בעבור זכרונות UFS ניידים, מחשבים, פתרונות SSD לשוק הביתי ועוד.
שבבי ה-V-NAND החדשים של סמסונג משתמשים מבנה ה-Double-Stack (“ערימה כפולה”), המאפשר לערום יותר שכבות בכל שבב עם השימוש בטכנולוגיית Channel Hole Etching, היוצרת ערוצי מעבר לאלקטרונים בין השכבות השונות ללא צורך ביצירת “חורי דמה” (dummy channel holes) כפי שנעשה בדור הקודם, דבר המאפשר לשבבים החדשים להציע צפיפות ביטים גבוהה יותר בכ~86% יותר מדור ה-QLC V-NAND הקודם.
בעוד שהחברה לא התייחסה באופן ישיר לביצועים או מספר השכבות הנמצאות בשימוש בדור ה-QLC V-NAND החדש, היא מציינת מספר טכנולוגיות שנועדו לשפר את האמינות, ביצועים וצריכית החשמל של השבבים החדשים:
- טכנולוגיית Designed Mold – מאפשרת להתאים את ה-WL (ר”ת Word Line) המתפעל את האחסון בשבב עצמו. הטכנולוגיה הציגה שיפור של כ~20% באמינות שבבי ה-V-NAND החדשים לשמירת המידע עליהם בהשוואה לדור הקודם.
- טכנולוגיית Predictive Program – משמשת לחיזוי שינוי מצבי תאי הזיכרון ב-V-NAND. טכנולוגיה שהביאה להכפלת מהירות הכתיבה של השבבים החדשים עם קלט/פלטר מהיר יותר ב-60%.
- Low-Power Design – עיצוב חסכוני של שבבי ה-V-NAND החדשים, המביא איתו ירידה של כ~30% וכ~50% בצריכה החשמלית בזמן קריאה וכתיבה בתאי הזיכרון בהתאמה.
עוקבים? כל החדשות מגאדג'טי
חלק מהפוסטים באתר כוללים קישורי תכניות שותפים, עבורם נקבל עמלה עם ביצוע רכישה בפועל של מוצרים. עמלה זו לא מייקרת את העלות הסופית של המוצרים עבורכם.
הסקירות והתכנים המופיעים באתר מהווים המלצה בלבד, וכך יש להתייחס אליהם. כל המחירים המופיעים באתר נכונים ליום הפרסום בלבד והאחריות לקניית מוצר או שירות כזה או אחר מוטלת עליך בלבד – השימוש באתר בהתאם לתנאי השימוש והפרטיות.