ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הכריזה על פיתוח שבבי זיכרון GDDR7 חדשים בנפח 24Gb, לראשונה בתעשיה. שבבי זיכרון ה-GDDR החדשים מציעים מהירות העברת מידע גבוהה יותר של עד 40Gbps ויעילות חשמלית משופרת של מעל 30% עם שימוש בטכנולוגיית ה-Dual VVD.
אחרי שהכריזה ב-2023 על הדור הראשון של שבבי ה-GDDR7, סמסונג מציגה כעת את דור ההמשך, אשר עושה שימוש בייצור ברמת 10nm מהדור החמישי, המאפשר להגדיל את צפיפות הזיכרון ב-50% עם שמירה על גודל שבב זהה.
השבבים החדשים מגיעים בנפח גבוה יותר של 24Gb, בהשוואה ל-16Gb בדור הקודם, כאשר השינוי הגדול ביותר מלבד הנפח הוא שיפור מהירות ניכר של 25%, מ-32Gbps ל-40Gbps, עם צפי להצגת גרסת 42.5Gbps בשלב מאוחר יותר.
שיפור המהירות מתאפשר על ידי שימוש בטכנולוגיית ה-PAM3 (ר”ת Pulse Amplitude Modulation), המעבירה 50% יותר מידע לעומת טכנולוגיית ה-NRZ (ר”ת Non Return to Zero) שהייתה בשימוש בדורות הקודמים.
שבבי ה-GDDR7 החדשים צפויים לעבור ולידציה במהלך השנה הנוכחית עם צפי לייצור המוני בתחילת 2025.
עוקבים? כל החדשות מגאדג'טי
חלק מהפוסטים באתר כוללים קישורי תכניות שותפים, עבורם נקבל עמלה עם ביצוע רכישה בפועל של מוצרים. עמלה זו לא מייקרת את העלות הסופית של המוצרים עבורכם.
הסקירות והתכנים המופיעים באתר מהווים המלצה בלבד, וכך יש להתייחס אליהם. כל המחירים המופיעים באתר נכונים ליום הפרסום בלבד והאחריות לקניית מוצר או שירות כזה או אחר מוטלת עליך בלבד – השימוש באתר בהתאם לתנאי השימוש והפרטיות.