הוכרז: שבב זיכרון חדש שייאפשר 4GB RAM בסמארטפונים

lp

יצרנית השבבים הקוריאנית SK Hynix הודיעה השבוע כי פיתחה את שבבי הזיכרון הראשונים למובייל מסוג LPDDR3 בגודל 8Gb (שווה ערך ל-1GB) באמצעות טכנולוגיית 20 ננו-מטר. השבבים החדשים, שצפויים לצאת כבר לקראת סוף השנה הנוכחית אל השוק, מסוגלים יהיו לספק תחת מעטפת יחידה עד 4GB RAM עבור טלפונים סלולריים חכמים.

ב-SK Hynix מציינים כי מהירותם של השבבים החדשים מסוג LPDDR3 בגודל 8Gb עומדת על 2,133Mbps, וכ-30% מעל ליכולותיהם של הדגמים הקודמים מסוג LPDDR3 שעמדו על 1,600Mbps. באמצעות הטכנולוגיה בשבבים החדשים ניתן יהיה להעביר מידע בקצב של 8.5GB על-גבי ערוץ יחיד ועד 17GB בערוץ כפול תחת מגבלת מערכות השבבים הקיימות הפועלות על 32-ביט.

ככל שמתפתחות הטכנולוגיות במכשירי הסמארטפון, כך מתגברת הדרישה של הצרכנים כמו גם היצרנים למצוא דרכים לספק ביצועים משופרים תוך כדי הקטנת צריכת האנרגיה. בהשוואה לדמי הדור הקודם, LPDDR2, מציגים השבבים החדשים של SK Hynix מהירות הגבוהה פי שתיים, תוך כדי ירידה של כ-10% בצריכת האנרגיה.


חלק מהפוסטים באתר כוללים קישורי תכניות שותפים, עבורם נקבל עמלה עם ביצוע רכישה בפועל של מוצרים. עמלה זו לא מייקרת את העלות הסופית של המוצרים עבורכם.

הסקירות והתכנים המופיעים באתר מהווים המלצה בלבד, וכך יש להתייחס אליהם. כל המחירים המופיעים באתר נכונים ליום הפרסום בלבד והאחריות לקניית מוצר או שירות כזה או אחר מוטלת עליך בלבד – השימוש באתר בהתאם לתנאי השימוש והפרטיות.

השוואת מפרטים