ראשי כתבות עם התגית "שבב זיכרון" עמוד 1
13.08.2019 16:27 | תגובות
יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על פיתוח שבבי זיכרון HBM2E המהירים בתעשייה, עם מהירות כוללת של 460GB/s ובנפח 16Gb. השבב החדש מציע שיפור של 50% ברוחב הפס ו-100% בנפח השבבים לעומת שבבי ה-HBM2 מהדור הקודם של החברה. שבב ה-HBM2E החדש הוא שיפור של ה-HBM2 (ר”ת High Bandwidth Memory-2) ומהווה למעשה...
22.03.2019 13:30 | תגובות
ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה על גמר פיתוח שבב זיכרון DDR4 בנפח 8Gb , שיהיה שבב ה-DRAM הראשון בתעשייה בייצור מהדור השלישי בתהליך 1z-nm (ברמת 10nm) מתקדם שישפר את ביצועי הזיכרון והצריכה החשמלית שלו. שבב ה-DDR4 בייצור 1z-nm מגיע רק 16 חודשים אחרי הכרזת שבבי ה-DRAM בייצור 1y-nm מהדור...
14.03.2019 19:30 | תגובות
ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה על תחילת ייצור המוני של שבב זיכרון LPDDR4X בנפח 12GB, לראשונה בתעשייה, בעבור מכשירים חכמים המשתמשים בריבוי מצלמות, מסכים גדולים, בינה מלאכותית ורשתות הדור החמישי. מדובר ברכיב הזיכרון שיגיע יחד עם גרסה מיוחדת של ה-Galaxy S10...
28.07.2015 19:05 | תגובות
יצרניות השבבים אינטל ומיקרון מכריזות על טכנולוגיית זיכרון חדשה ומתקדמת העונה לשם 3D XPoint, המהירה עד פי 1000 מטכנולוגיית ה-NAND הזמינה כיום. הטכנולוגיה החדשה נעזרת במערך תלת מימדי של תאי זיכרון צפופים. ניתן לפנות לכל תא בעזרת שימוש במתח שונה, מה שמייתר את הצורך...
גאדג'טי | Gadgety
ניווט באתר
קטגוריות
גאדג'טי
חיפוש כתבות