ראשי כתבות עם התגית "NAND" עמוד 1
07.12.2020 18:48 | תגובות
יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על סיום פיתוח הדור השלישי של שבבי הזיכרון 4D NAND, עם שבב NAND חדש המגיע בנפח 512Gb בעל עם 176 שכבות בתצורת TLC, המציע ביצועים משופרים לעומת שבב 3D NAND רגיל. טכנולוגיית ה-4D NAND של SK Hynix הוצגה לראשונה על ידי החברה ב-2018, כשהדור הראשון של שבב ה-4D...
11.11.2020 15:08 | תגובות
יצרנית הזכרונות מיקרון (Micron) הכריזה על זיכרון 3D NAND בעל 176 שכבות, הכמות הגבוהה ביותר לזיכרון NAND בתעשיה נכון לרגע זה, בה ניתן למצוא כיום, לשם ההשוואה, זכרונות NAND של עד 128 שכבות. זיכרון ה-NAND החדש יגיע בנפח של 512Gbit בתצורת TLC ויציע שיפור ביצועים משמעותי לעומת הדור הקודם. על...
21.04.2020 17:33 | תגובות
סמסונג (Samsung) מפתחת שבבי זיכרון V-NAND מהדור השביעי של החברה שישתמשו ב-160 שכבות או יותר, כך עולה מדיווח של אתר ETnews. הדיווח החדש מציין כי סמסונג פועלת להגדלת כמות השכבות בפער גדול כחלק מאסטרטגיית "פער-על" (“super-gap”) ליצירת יתרון משמעותי על יצרני NAND מתחרים. בעוד...
03.02.2020 17:48 | תגובות
חברת WD (ר”ת Western Digital) וחברת Kioxia (לשעבר Toshiba Memory) הכריזו על הדור החמישי של זכרונות ה-3D NAND מדגם BiCS5, המשלב 112 שכבות בנפח של 512Gbit בתצורת TLC עם צפי לשבבי 1Tbit TLC ו-1.33Tbit QLC בהמשך. בעוד הדור החמישי של שבבי ה-BiCS מגיע עם 112 שכבות, שיפור של כ~16% בלבד לעומת שבבי ה-BiCS4 מהדור הקודם...
23.12.2019 11:30 | תגובות
חברת Kioxia (לשעבר Toshiba Memory) הכריזה על פיתוח טכנולוגיית זיכרון NAND חדשה בשם Twin BiCS FLASH שנועדה להכפיל את נפח הזיכרון הקיים על ידי פיצול תאי הזיכרון לשתיים, מה שמאפשר את הגדלת נפח הזיכרון ללא הגדלת כמות השכבות או הביטים לתא. טכנולוגיית שבבי ה-NAND התפתחה בשנים האחרונות...
06.08.2019 17:33 | תגובות
ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה רשמית כי היא החלה בייצור המוני של שבבי זיכרון V-NAND מהדור השישי של החברה שישתמשו ב-1XX שכבות ויגיעו בשלב הראשוני בנפח של 256Gb כשהם ישולבו בכונני SSD בנפח של 250GB הנמצאים כעת בייצור. הדור השישי של שבבי ה-V-NAND של סמסונג מגיע בפרק...
01.08.2019 13:47 | תגובות
יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה לראשונה בתעשיה על שבבי זיכרון 4D NAND בנפח 1Tb עם 128 שכבות בתצורת TLC, המתבססים על טכנולוגיית ה-3D CTF ו-PUC על מנת ליצור שבבי זיכרון קטנים יותר עם ביצועים וצריכה חשמלית משופרת לעומת שבבי 3D NAND רגילים. שבב הזיכרון החדש מגיע כ-8 חודשים בלבד...
30.06.2019 15:34 | תגובות
Toshiba Memory (להלן TMC) ו-Western Digital (להלן WD), חשפו כי הפסקת חשמל של 13 דקות שהתרחשה במחוז Yokkaichi ביפן ב-15 ביוני גרמה לנזק למפעלי ייצור הזיכרון של שתי החברות, נזק שצפוי להסתכם באובדן ייצור שבבי NAND בנפח של כ~6 אקסה-בייט (exabytes) ברבעון השלישי של 2019. הדבר עלול לגרור לעליית מחירי...
28.11.2018 15:03 | תגובות
חברת Weebit Nano הישראלית מפתחת את הדור הבא של שבבי הזיכרון ולאחרונה הציגה את שבבי ה-SiOx ReRAM הנמצאים עדיין בפיתוח ומתוכננים להחליף בעתיד את שבבי ה-NAND המצויים בכונני ה-SSD של היום וזכרונות ה-DRAM המשמשים לזיכרון במחשבים ומכשירי סלולר. זכרונות ReRAM (ר"ת Resistive RAM) מיוצרים...
11.07.2018 16:30 | תגובות
ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה רשמית כי היא החלה בייצור המוני של שבבי זיכרון V-NAND מהדור החמישי של החברה שישתמשו לראשונה בטכנולוגיית הממשק Toggle DDR 4.0, כששבבי ה-256Gb יוכלו להגיע למהירות של 1.4Gbps, שיפור של 40% במהירות לעומת הדור הקודם. סמסונג הצליחה להוריד...
גאדג'טי | Gadgety
ניווט באתר
קטגוריות
גאדג'טי
חיפוש כתבות