ראשי כתבות עם התגית "NAND" עמוד 1
06.08.2019 17:33 | תגובות
ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה רשמית כי היא החלה בייצור המוני של שבבי זיכרון V-NAND מהדור השישי של החברה שישתמשו ב-1XX שכבות ויגיעו בשלב הראשוני בנפח של 256Gb כשהם ישולבו בכונני SSD בנפח של 250GB הנמצאים כעת בייצור. הדור השישי של שבבי ה-V-NAND של סמסונג מגיע בפרק...
01.08.2019 13:47 | תגובות
יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה לראשונה בתעשיה על שבבי זיכרון 4D NAND בנפח 1Tb עם 128 שכבות בתצורת TLC, המתבססים על טכנולוגיית ה-3D CTF ו-PUC על מנת ליצור שבבי זיכרון קטנים יותר עם ביצועים וצריכה חשמלית משופרת לעומת שבבי 3D NAND רגילים. שבב הזיכרון החדש מגיע כ-8 חודשים בלבד...
30.06.2019 15:34 | תגובות
Toshiba Memory (להלן TMC) ו-Western Digital (להלן WD), חשפו כי הפסקת חשמל של 13 דקות שהתרחשה במחוז Yokkaichi ביפן ב-15 ביוני גרמה לנזק למפעלי ייצור הזיכרון של שתי החברות, נזק שצפוי להסתכם באובדן ייצור שבבי NAND בנפח של כ~6 אקסה-בייט (exabytes) ברבעון השלישי של 2019. הדבר עלול לגרור לעליית מחירי...
28.11.2018 15:03 | תגובות
חברת Weebit Nano הישראלית מפתחת את הדור הבא של שבבי הזיכרון ולאחרונה הציגה את שבבי ה-SiOx ReRAM הנמצאים עדיין בפיתוח ומתוכננים להחליף בעתיד את שבבי ה-NAND המצויים בכונני ה-SSD של היום וזכרונות ה-DRAM המשמשים לזיכרון במחשבים ומכשירי סלולר. זכרונות ReRAM (ר”ת Resistive RAM) מיוצרים...
11.07.2018 16:30 | תגובות
ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה רשמית כי היא החלה בייצור המוני של שבבי זיכרון V-NAND מהדור החמישי של החברה שישתמשו לראשונה בטכנולוגיית הממשק Toggle DDR 4.0, כששבבי ה-256Gb יוכלו להגיע למהירות של 1.4Gbps, שיפור של 40% במהירות לעומת הדור הקודם. סמסונג הצליחה להוריד...
11.08.2016 12:10 | תגובות
יצרנית הכוננים הקשיחים Seagate הציגה כונן SSD מהיר בנפח שובר שיאים של 60 טרה-בייט – פי ארבעה משל מחזיק השיא הקודם מבית סמסונג, שנפחו 15 טרה-בייט. ההכרזה החדשה מפתיעה למדי, בהתחשב בעובדה ש-Seagate מתמחה בכוננים קשיחים “מסורתיים” (בעלי פלטות מסתובבות) ונכון לרגעים...
01.03.2016 13:09 | תגובות
הענקית הדרום קוריאנית סמסונג פרצה מחסום נוסף בעולם האחסון: היא הכריזה על רכיב אחסון לסמארטפונים בנפח 256 גיגה-בייט, הגדול ביותר עד כה. לפני שנה ויומיים השיקה סמסונג שבב זיכרון בנפח 128 גיגה-בייט, שהתחרה עד כה בשבב בעל נפח זהה מבית אפל – אחד שפותח בעזרתה של...
26.03.2015 18:31 | תגובות
יצרניות השבבים המובילות אינטל ומיקרון חשפו היום (ה’) טכנולוגיית אחסון חדשה בשם 3D NAND. הטכנולוגיה מבוססת על זכרון פלאש ומאפשרת את ערימתן של 32 שכבות תאי אחסון ליצירת זיכרון דחוס במיוחד. הטכנולוגיה מאפשרת ליצור כונני SSD סטנדרטיים בנפח מרשים של עד 10 טרה-בייט,...
21.03.2015 14:21 | תגובות
יצרנית הטכנולוגיה המובילה, סמסונג, ממשיכה לחשוף פיתוחים בתחום האחסון לניידים. לאחר שהשיקה שבב זיכרון מהיר במיוחד מסוג UFS 2 ושבב זיכרון בתקן eMMC 5.1, מכריזה היצרנית הקוריאנית על שבב זיכרון חדש בנפח עצום של 128GB הפועל בתקן הזיכרון eMMC 5.0 ומיועד עבור מכשירי שוק הביניים. עד...
27.02.2015 14:29 | תגובות
סמסונג ממשיכה להשקיע בתחום האחסון לניידים. לאחר שהכריזה על שבבי זיכרון בתקן eMMC 5.1, פונה החברה להכריז על שבב זיכרון חדש ומתקדם אף יותר: שבב מסוג UFS 2.0 בנפח מרשים של 128GB. עד כה היחידה שהצליחה ליצור שבב זיכרון בנפח כה גדול הייתה אפל, הישג שככל הנראה לא הייתה מגיעה...
עמוד 1 מתוך 212
גאדג'טי | Gadgety
ניווט באתר
קטגוריות
גאדג'טי
חיפוש כתבות