ראשי כתבות עם התגית "NAND" עמוד 1
21.04.2020 17:33 | תגובות
סמסונג (Samsung) מפתחת שבבי זיכרון V-NAND מהדור השביעי של החברה שישתמשו ב-160 שכבות או יותר, כך עולה מדיווח של אתר ETnews. הדיווח החדש מציין כי סמסונג פועלת להגדלת כמות השכבות בפער גדול כחלק מאסטרטגיית "פער-על" (“super-gap”) ליצירת יתרון משמעותי על יצרני NAND מתחרים. בעוד...
03.02.2020 17:48 | תגובות
חברת WD (ר”ת Western Digital) וחברת Kioxia (לשעבר Toshiba Memory) הכריזו על הדור החמישי של זכרונות ה-3D NAND מדגם BiCS5, המשלב 112 שכבות בנפח של 512Gbit בתצורת TLC עם צפי לשבבי 1Tbit TLC ו-1.33Tbit QLC בהמשך. בעוד הדור החמישי של שבבי ה-BiCS מגיע עם 112 שכבות, שיפור של כ~16% בלבד לעומת שבבי ה-BiCS4 מהדור הקודם...
23.12.2019 11:30 | תגובות
חברת Kioxia (לשעבר Toshiba Memory) הכריזה על פיתוח טכנולוגיית זיכרון NAND חדשה בשם Twin BiCS FLASH שנועדה להכפיל את נפח הזיכרון הקיים על ידי פיצול תאי הזיכרון לשתיים, מה שמאפשר את הגדלת נפח הזיכרון ללא הגדלת כמות השכבות או הביטים לתא. טכנולוגיית שבבי ה-NAND התפתחה בשנים האחרונות...
06.08.2019 17:33 | תגובות
ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה רשמית כי היא החלה בייצור המוני של שבבי זיכרון V-NAND מהדור השישי של החברה שישתמשו ב-1XX שכבות ויגיעו בשלב הראשוני בנפח של 256Gb כשהם ישולבו בכונני SSD בנפח של 250GB הנמצאים כעת בייצור. הדור השישי של שבבי ה-V-NAND של סמסונג מגיע בפרק...
01.08.2019 13:47 | תגובות
יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה לראשונה בתעשיה על שבבי זיכרון 4D NAND בנפח 1Tb עם 128 שכבות בתצורת TLC, המתבססים על טכנולוגיית ה-3D CTF ו-PUC על מנת ליצור שבבי זיכרון קטנים יותר עם ביצועים וצריכה חשמלית משופרת לעומת שבבי 3D NAND רגילים. שבב הזיכרון החדש מגיע כ-8 חודשים בלבד...
30.06.2019 15:34 | תגובות
Toshiba Memory (להלן TMC) ו-Western Digital (להלן WD), חשפו כי הפסקת חשמל של 13 דקות שהתרחשה במחוז Yokkaichi ביפן ב-15 ביוני גרמה לנזק למפעלי ייצור הזיכרון של שתי החברות, נזק שצפוי להסתכם באובדן ייצור שבבי NAND בנפח של כ~6 אקסה-בייט (exabytes) ברבעון השלישי של 2019. הדבר עלול לגרור לעליית מחירי...
28.11.2018 15:03 | תגובות
חברת Weebit Nano הישראלית מפתחת את הדור הבא של שבבי הזיכרון ולאחרונה הציגה את שבבי ה-SiOx ReRAM הנמצאים עדיין בפיתוח ומתוכננים להחליף בעתיד את שבבי ה-NAND המצויים בכונני ה-SSD של היום וזכרונות ה-DRAM המשמשים לזיכרון במחשבים ומכשירי סלולר. זכרונות ReRAM (ר"ת Resistive RAM) מיוצרים...
11.07.2018 16:30 | תגובות
ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה רשמית כי היא החלה בייצור המוני של שבבי זיכרון V-NAND מהדור החמישי של החברה שישתמשו לראשונה בטכנולוגיית הממשק Toggle DDR 4.0, כששבבי ה-256Gb יוכלו להגיע למהירות של 1.4Gbps, שיפור של 40% במהירות לעומת הדור הקודם. סמסונג הצליחה להוריד...
11.08.2016 12:10 | תגובות
יצרנית הכוננים הקשיחים Seagate הציגה כונן SSD מהיר בנפח שובר שיאים של 60 טרה-בייט – פי ארבעה משל מחזיק השיא הקודם מבית סמסונג, שנפחו 15 טרה-בייט. ההכרזה החדשה מפתיעה למדי, בהתחשב בעובדה ש-Seagate מתמחה בכוננים קשיחים "מסורתיים" (בעלי פלטות מסתובבות) ונכון לרגעים...
01.03.2016 13:09 | תגובות
הענקית הדרום קוריאנית סמסונג פרצה מחסום נוסף בעולם האחסון: היא הכריזה על רכיב אחסון לסמארטפונים בנפח 256 גיגה-בייט, הגדול ביותר עד כה. לפני שנה ויומיים השיקה סמסונג שבב זיכרון בנפח 128 גיגה-בייט, שהתחרה עד כה בשבב בעל נפח זהה מבית אפל – אחד שפותח בעזרתה של...
גאדג'טי | Gadgety
ניווט באתר
קטגוריות
גאדג'טי
חיפוש כתבות