זכרונות 4D NAND (מקור SK Hynix)

זכרונות 4D NAND (מקור SK Hynix)

SK Hynix מכריזה על שבבי 4D NAND – הראשונים מסוגם בתעשיה

| יום שלישי, 6 בנובמבר 2018, 15:30 | חומרה, מחשבים

יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה לראשונה בתעשיה על שבבי זיכרון 4D NAND בנפח 512Gb עם 96 שכבות בתצורת TLC, המתבססים על טכנולוגיית ה-3D CTF ו-PUC על מנת ליצור שבבי זיכרון קטנים יותר עם ביצועים וצריכה חשמלית משופרת לעומת שבבי 3D NAND רגילים.

המעבר משבבי 3D NAND להם אנו רגילים היום ל-4D NAND התאפשרה הודות לשילוב של מספר טכנולוגיות שיוצרות את ה"מימד הרביעי". זיכרון ה-4D NAND משתמש במבנה 3D NAND מסוג CTF (ר"ת Charge Trap Flash) בתוספת טכנולוגיית PUC (ר"ת Peri. Under Cell) של SK Hynix המעבירה את רכיב ה-Peri מהמקום הרגיל לחלקו התחתון, מה שיוצר את המימד ה"רביעי".

מבנה שבבי 4D NAND (מקור tomshardware)

מבנה שבבי 4D NAND (מקור tomshardware)

השבב החדש של SK Hynix יהיה מבוסס על 96 שכבות עם נפח של 512Gb, מה שמתורגם בפועל לנפח של 64GB, כשהוא יספק שיפור ביצועי כתיבה של 30%, קריאה של 25% לעומת שבב 3D NAND ובתוספת רוחב פס כפול של 64KB. לפי החברה, השבב יגיע למהירות של 1200Mbps בחיבורי ה-I/O (ר"ת Input Output) ויעבוד במתח של 1.2V.

החברה צופה כי תשיק כונני SSD לשוק הביתי בנפח של 1TB שישתמשו בשבבים החדשים יחד עם בקר וקושחה בייצור עצמי עוד במהלך שנת 2018, כאשר פתרונות SSD עסקיים יגיעו במחצית השניה של 2019. SK Hynix צפויה להשתמש גם בזכרונות UFS 3.0 לתחום הניידים, כאשר בעתיד צפויים להגיע גם שבבי 1Tb מסוג TLC ו-QLC.

זכרונות ה-4D NAND החדשים של SK Hynix מראים כי בטכנולוגיית הזיכרון עדיין ישנן אפשרויות שיפור ופיתוח רבות, כאשר לא רק ייצור השבבים עצמו משתפר אלא גם המבנה שלהם.

במאגר הקופונים שלנו כבר ביקרתם?
סמארטפונים וגאדג'טים במחירים נוחים ובמשלוח ישיר עד הבית
לחצו כאן
תגובות לכתבה
גאדג'טי | Gadgety
ניווט באתר
קטגוריות
גאדג'טי
חיפוש כתבות