חברת Weebit Nano הישראלית מפתחת זכרונות SiOx ReRAM שיחליפו את ה-NAND ו-DRAM

Weebit Nano Weebit Nano

חברת Weebit Nano הישראלית מפתחת את הדור הבא של שבבי הזיכרון ולאחרונה הציגה את שבבי ה-SiOx ReRAM הנמצאים עדיין בפיתוח ומתוכננים להחליף בעתיד את שבבי ה-NAND המצויים בכונני ה-SSD של היום וזכרונות ה-DRAM המשמשים לזיכרון במחשבים ומכשירי סלולר.

זכרונות ReRAM (ר”ת Resistive RAM) מיוצרים בטכנולוגיה שנמצאת זמן רב בפיתוח, עם אזכורים ראשונים עוד ב-2013, כאשר כעת חברת Weebit Nano הישראלית מציגה גרסה חדשה המשתמשת בייצור צורן דו-חמצני SiOX (ר”ת Silicon Oxide) ולכן גם השם SiOx ReRAM.

טכנולוגיית ה-ReRAM נועדה לגשר בין זכרונות DRAM (ר”ת Dynamic random-access memory) המצטיינים במהירות גבוהה, אך לא יכולים לשמור על מידע ללא אספקת חשמל רציפה, ובין זכרונות NAND השומרים על מידע ללא זרם חשמלי, אך הינם בעלי מהירות נמוכה יותר לעומת זכרונות ה-DRAM.

זכרונות ה-ReRam הנבחנים כעת מיוצרים בטכנולוגיית 40nm, כאשר החברה הצליחה להדגים כי הם יכולים לשמור על המידע שלהם לאורך יותר מ-10 שנים ולהציג ביצועים הדומים לאלו של זכרונות DRAM רגילים. החברה הצליחה להקטין את שבבי הזיכרון מ-300nm ל-40nm במהלך הפיתוח, כאשר היעד הבא הוא הגעה ל-29nm.

במידה וטכנולוגיית ה-ReRam תבשיל ותהיה מוכנה לשימוש היא צפויה לתפוס נתח שוק משמעותי לאור היתרון שלה עם סוגי הזכרונות עם אחסון גבוה ומהירות גבוהה בו זמנית, מה שיאפשר ניצול טוב יותר של האחסון במכשירים השונים. נותר לחכות ולראות מתי אכן נוכל להשיג את זכרונות ה-ReRam בעתיד.

השוואת מפרטים