SK Hynix מכריזה על שבבי HBM2E במהירות של 460GB/s

| יום שלישי, 13 באוגוסט 2019, 16:27 | חומרה, מחשבים

יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על פיתוח שבבי זיכרון HBM2E המהירים בתעשייה, עם מהירות כוללת של 460GB/s ובנפח 16Gb. השבב החדש מציע שיפור של 50% ברוחב הפס ו-100% בנפח השבבים לעומת שבבי ה-HBM2 מהדור הקודם של החברה.

שבב ה-HBM2E החדש הוא שיפור של ה-HBM2 (ר”ת High Bandwidth Memory-2) ומהווה למעשה “דור 2.5”, כשההבדל הגדול בין שבבי זיכרון HBM ל-DDR המתחרה על סוגיו השונים הוא בעיקר במהירות העברת המידע העצומה. השבב החדש של SK Hynix מצליח להציע מהירות גדולה אף יותר משבב ה-HBM2E Flashbolt של סמסונג עם 3.6Gbps לעומת 3.2Gbps.

שבבי הזיכרון עצמם יהיו ישתמשו בטכנולוגיית ה-TSV (ר”ת Through Silicon Via) שתאפשר לערום 8 שבבי 16Gb יחד ליצירת שבב זיכרון בנפח 16GB, כשהחברה מכוונת אותם למה שהיא קוראת “הדור רביעי של התעשייה” ומייעדת אותם לשוק כרטיס המסך הגבוה, מחשבי על, מערכות בינה מלאכותית ויישומים נוספים הדורשים מהירות העברת נתונים גבוהה במיוחד.

שבב ה-HBM2E החדש של SK Hynix צפוי לעבור לייצור המוני במהלך 2020.

על אף היתרונות הרבים של טכנולוגיית ה-HBM, אחת הסיבות העיקריות לשליטה של טכנולוגיית ה-DDR בשוק היא בהבדלי המחירים ביניהם. בעוד שה-HBM מציע מהירות העברת נתונים גבוהה יותר, העלות של שיפור הביצועים הופכת לבלתי כלכלית לשימושים רגילים, מה שמשאיר את שבבי ה-HBM לתחומים ספציפיים במיוחד בהם חשיבות המהירות גבוהה מהעלות של השבבים.

מקורות
skhynix
במאגר הקופונים שלנו כבר ביקרתם?
סמארטפונים וגאדג'טים במחירים נוחים ובמשלוח ישיר עד הבית
לחצו כאן
תגובות לכתבה
גאדג'טי | Gadgety
ניווט באתר
קטגוריות
גאדג'טי
חיפוש כתבות