סמסונג צפויה להכריז על שבבי זיכרון V-NAND מהדור השביעי עם 160 שכבות

זכרונות V-NAND דור 6 (מקור סמסונג)

סמסונג (Samsung) מפתחת שבבי זיכרון V-NAND מהדור השביעי של החברה שישתמשו ב-160 שכבות או יותר, כך עולה מדיווח של אתר ETnewsהדיווח החדש מציין כי סמסונג פועלת להגדלת כמות השכבות בפער גדול כחלק מאסטרטגיית “פער-על” (“super-gap”) ליצירת יתרון משמעותי על יצרני NAND מתחרים.

בעוד זכרונות ה-NAND הנוכחיים בשוק מגיעים עם עד 128 שכבות, דוגמת שבבי SK Hynix, הדור השביעי של זכרונות ה-3D NAND, או V-NAND כפי שסמסונג קוראים לזכרונות שלהם, צפויים להשתמש לראשונה בטכנולוגיה הנקראת “ערימה כפולה” (“double-stack”), המייצרת חורים למעבר זרם בין השכבות ב-2 שלבים שונים, מה שיוצר למעשה צמד שכבות, בניגוד לטכנולוגיית “ערימה בודדת” (“single-stack”) הנמצאת כיום בשימוש ומייצרת חורים פעם אחת בלבד.

למרות שלא מדובר על מידע רשמי מסמסונג עצמה, המקורות של ETnews מציינים כי סמסונג הצליחה להציג התקדמות ניכרת בפיתוח בתחום ה-NAND, כאשר המעבר ל-160 שכבות יהפוך אותה למובילה בתחום ה-3D NAND ולראשונה בעולם שתציג שבב בעל +160 שכבות, מה שיאפשר לה להציע פתרונות אחסון זולים ומשתלמים יותר.

במידה וסמסונג אכן תצליח להציג הדור השביעי של שבבי ה-V-NAND בתזמון מספיק טוב על מנת להגדיל את הפער בינה לבין יצרני NAND אחרים, החברה תוכל להגדיל עוד יותר את נתח השוק שלה, שעמד ב-2019 על 35.9% עם רווחים של כ~16.5 מיליארד דולר.

השוואת מפרטים