יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על מעבר לייצור המוני של שבבי 4D NAND מהדור החמישי של החברה, המגיעים לראשונה בעולם עם 321 שכבות ומציעים שיפור של 59% בפרודקטיביות הייצור בהשוואה לדור הקודם, לצד מהירות העברת נתונים הגבוהה ב-12% וחיסכון של 10% בצריכה החשמלית של השבב.
לאחר שהציגה ב-2023 זכרונות 4D NAND בעלי 238 שכבות, SK Hynix הופכת להיות ליצרנית שבבי הזיכרון הראשונה בעולם החוצה את מחסום ה-300 שכבות לזיכרון NAND עם הדור החמישי של שבבי ה-4D NAND, עם לא פחות מ-321 שכבות לקבלת נפח של 1Tb על ידי שימוש בטכנולוגיית ייצור “3Plugs”, המקשרת בין שלושה “תקעים” בין השכבות השונות לאחר ייצור תקעים אלו על השבב לצד שימוש בחומר בעל “לחץ נמוך” (low-stress) המונע עיוות של הוויפר.
שבבי ה-4D NAND של SK Hynix משתמשים במבנה 3D NAND מסוג CTF (ר”ת Charge Trap Flash) בתוספת טכנולוגיית ה-PUC (ר”ת Peri. Under Cell) של החברה, המעבירה את רכיב ה-Peri מהמקום הרגיל לחלקו התחתון, מה שיוצר את “המימד הרביעי” הנוסף בהשוואה לזכרונות NAND רגילים.
בעוד שהחברה לא ציינה באופן מפורש מה הם ביצועי שבב ה-NAND החדש, הוא צפוי להציע מהירות העברת נתונים הגבוהה יותר ב-12% בהשוואה לדור הקודם, שהציע מהירות העברת מידע של 2.4Gbps, כאשר מהירות הקריאה השתפרה ב-13% לצד חיסכון משופר של 10% בצריכה החשמלית של השבב.
מה זה נותן בפועל?
עבור משתמשי הקצה צפוי השבב החדש לספק מספר יתרונות:
- אחסון: השבב יאפשר ייצור כונני SSD בעלי נפח אחסון גדול יותר במחשבים ובמכשירים ניידים.
- מהירות: המהירות המשופרת ב-12% משמעותה העברת קבצים מהירה יותר, טעינת תוכנות ומשחקים בזמן קצר יותר, ותגובה מהירה יותר של המערכת בכלל.
- חיסכון בחשמל: החיסכון של 10% בצריכת החשמל יתרום לחיי סוללה ארוכים יותר במכשירים ניידים ולשימוש נמוך יותר בחשמל במחשבים נייחים.
שבב ה-4D NAND בעל 321 השכבות של SK Hynix צפוי להיות זמין בעבור החברות השונות במהלך החציון הראשון של 2025.
חלק מהפוסטים באתר כוללים קישורי תכניות שותפים, עבורם נקבל עמלה עם ביצוע רכישה בפועל של מוצרים. עמלה זו לא מייקרת את העלות הסופית של המוצרים עבורכם.
הסקירות והתכנים המופיעים באתר מהווים המלצה בלבד, וכך יש להתייחס אליהם. כל המחירים המופיעים באתר נכונים ליום הפרסום בלבד והאחריות לקניית מוצר או שירות כזה או אחר מוטלת עליך בלבד – השימוש באתר בהתאם לתנאי השימוש והפרטיות.