צמד החברות Ferroelectric Memory Co ו-Neumonda הגרמניות הכריזו על תחילת ייצור של זכרונות +DRAM, קטגוריית שבבי זיכרון DRAM לא נדיפים המסוגלים לשמור מידע בזיכרון ללא צורך בחשמל ומיועדים לתת מענה לתחומי ה-AI, שימושים רפואיים, תעשיה ועוד.
אחת מאבני הבנייה החשובות ביותר של עולם הטכנולוגיה הקיים סביבנו הם שבבי הזיכרון מהסוגים השונים, המשמשים לאחסון מידע במוצרים כמו מחשבים, מכשירי סלולר ועוד, כאשר כל שבב זיכרון נועד לתת מענה לשימוש ספציפי.
כפי שהשם רומז, +DRAM החדש הוא זיכרון דינמי בעל גישה אקראית (DRAM), אך במקום שיהיה מדובר על זיכרון נדיף הזקוק לקבל חשמלי על מנת לשמור את המידע על השבב, מדובר על זיכרון FeRAM (ר"ת Ferroelectric RAM) המשתמש בשכבה פרואלקטרית (ferroelectric) במקום דיאלקטרית (dielectric) לשמירת המידע על הזיכרון ללא צורך בקבלים חשמליים.
במקרה של זיכרון ה-+DRAM, החברות משתמשות ב-HfO₂, תחמוצת הפניום (hafnium oxide), על מנת לאפשר לשבבים לשמור על המידע שלהם, בדומה לשבבי ה-NAND המוכרים מכונני ה-SSD, ללא צורך בחשמל, תוך כדי שהם מציעים מהירות סטנדרטית וגבוהה, בדומה לזכרונות DRAM.
פריצת הדרך הגדולה של החברות הוא המעבר לשימוש ב-HfO₂ במקום PZT (ר"ת zirconate titanate) בשבבי FeRAM קודמים בתור השכבה הפרואלקטרית אפשר תאימות של הטכנולוגיה עם ייצור שבבי CMOS בתחום של פחות מ-10nm, דבר שאפשר לשלב את ייצור שבבי ה-+DRAM החדשים במפעלי ייצור קיימים עם צפיפות מידע ומהירות גדולים יותר בדומה לזכרונות DRAM סטנדרטיים.
שתי החברות צופות כי חברות טכנולוגיה יטמיעו את שבבי ה-+DRAM החדשים כתחליף לזכרונות ה-DRAM הרגילים.
עוקבים? כל החדשות מגאדג'טי
חלק מהפוסטים באתר כוללים קישורי תכניות שותפים, עבורם נקבל עמלה עם ביצוע רכישה בפועל של מוצרים. עמלה זו לא מייקרת את העלות הסופית של המוצרים עבורכם.
הסקירות והתכנים המופיעים באתר מהווים המלצה בלבד, וכך יש להתייחס אליהם. כל המחירים המופיעים באתר נכונים ליום הפרסום בלבד והאחריות לקניית מוצר או שירות כזה או אחר מוטלת עליך בלבד – השימוש באתר בהתאם לתנאי השימוש והפרטיות.