⭐ נקודות עיקריות
- סמסונג פיתחה את פתרון ה-UFS 5.0 הראשון בתעשייה, המציע מהירות קצב העברת נתונים של 10.8GB/s.
- שבב הזיכרון החדש משיג מהירות קריאה רציפה של עד 10.8GB/s ומהירות כתיבה של 9.5GB/s.
- שבב הזיכרון מציע יעילות אנרגטית משופרת ביותר מ-40% בהשוואה לדור הקודם.
- ייצור המוני של שבבי UFS 5.0 בקיבולת של עד 1TB צפוי להתחיל ברבעון הרביעי של 2026.
סמסונג (Samsung) הכריזה על פיתוח זיכרון ה-UFS 5.0 הראשון בתעשייה, המציע את מהירות העברת הנתונים הגבוהה ביותר בשוק שבבי הזיכרון למובייל עם קצב העברת נתונים של עד 10.8GB/s.
תקן UFS 5.0 מתייחס לשבב זיכרון מתקדם המיועד לשילוב במכשירי קצה ניידים ונועד להאיץ את העבודה מול מודלי שפה גדולים (LLMs) הרצים ישירות על המכשיר (On-Device AI).
ההכרזה הנוכחית מהווה צעד מרכזי בשוק שבבי הזיכרון, שכן המעבר לבינה מלאכותית יוצרת (Generative AI) המעובדת מקומית דורש נפחי העברת נתונים גדולים במיוחד ותגובתיות מהירה.
האחסון הנייד הופך בהדרגה ממדיום המיועד לשמירת קבצים בלבד לתשתית ליבה התומכת בחישובי בינה מלאכותית, והשבב החדש נועד לצמצם את זמני השיהוי עבור המשתמשים.
הכירו את UFS 5.0
לדברי סמסונג, פתרון ה-UFS 5.0 מספק מהירות קריאה רציפה של עד 10.8GB/s ומהירות כתיבה רציפה של עד 9.5GB/s.
נתונים אלו מציגים מהירות הגבוהה פי יותר משניים בהשוואה לביצועי תקן ה-UFS 4.1 הקודם, אשר הציע מהירות קריאה רציפה של 4,300MB/s ומהירות כתיבה של 4,100MB/s.
השיפור במהירות מאפשר עיבוד ואחסון מהירים משמעותית של כמויות מידע גדולות, מה שצפוי לקצר את זמני פתיחת האפליקציות ולשפר את חוויית השימוש הכללית במכשירים שיצוידו בטכנולוגיה זו.
השבב מיועד להשתלב במגוון רחב של פלטפורמות עתידיות בשוק המובייל והמחשוב הלביש. מעבר לטלפונים חכמים, סמסונג מייעדת את שבבי הזיכרון החדשים עבור משקפי מציאות מורחבת (XR) והתקני בינה מלאכותית לבישים, הדורשים גישה מהירה במיוחד לנתונים מקומיים.
עיצוב, מבנה ויעילות אנרגטית
החברה הצליחה לצמצם את הממדים הפיזיים של הרכיב ועיצבה אותו במארז קומפקטי של 7.5x13x0.9 מ"מ בלבד. מבנה זה קטן ב-16.7% בהשוואה לדור הקודם, והוא מאפשר גמישות תכנונית רבה יותר עבור יצרניות המכשירים וניצול יעיל יותר של המרחב הפנימי בתוך סמארטפונים והתקנים לבישים קטנים.
בגזרת צריכת החשמל, סמסונג מציינת שיפור של יותר מ-40% ביעילות האנרגטית של ה-UFS 5.0 לעומת ה-UFS 4.1 של החברה.
השיפור הושג באמצעות הטמעת טכנולוגיות חלוקת מתח (Multi-Voltage) ובקרת אות שעון (Clock Gating). טכנולוגיות אלו מפחיתות את האנרגיה הנדרשת להעברת אותה כמות מידע, ובכך תורמות להורדת צריכת החשמל הכוללת ולהארכת חיי הסוללה של המכשירים.
זמינות
סמסונג הודיעה באופן רשמי כי היא תחל בייצור המוני של שבבי ה-UFS 5.0 במהלך הרבעון הרביעי של שנת 2026, כאשר השבבים יוצעו במגוון רחב של קיבולות אחסון שיגיעו לעד 1TB.
על פי דיווחים ברשת, סדרת מכשירי ה-Galaxy S27 הבאה של סמסונג צפויה להיות בין הראשונות בשוק להשתמש בשבבי ה-UFS 5.0 החדשים.
