⭐ נקודות עיקריות
- מיקרון החלה בהרחבת מפעל השבבים שלה בהירושימה בהשקעה של כ-1.5 טריליון ין (כ-28 מיליארד ש"ח).
- המפעל המורחב יתמקד בייצור שבבי זיכרון מתקדמים בטכנולוגיית 1γ DRAM ורכיבי זיכרון HBM4.
- אספקת הציוד והתקנתו צפויות להתחיל במחצית השנייה של שנת 2028.
- במקביל, סמסונג ו-SK-Hynix קוריאניות מרחיבות את כושר הייצור שלהן, מה שמעורר חשש מפני עודף היצע בשוק.
מיקרון (Micron) החלה בביצוע פרויקט הרחבה נרחב במפעל ייצור השבבים שלה בהירושימה שביפן, בעלות של כ-1.5 טריליון ין (כ-28 מיליארד ש"ח).
המהלך מגיע זמן קצר לאחר שסמסונג (Samsung) ו-SK Hynix הדרום-קוריאניות חשפו השקעות משולבות בהיקף של כ-800 טריליון וון (כ-2.4 טריליון ש"ח).
פרויקט זה הוא מהלך אסטרטגי המרחיב את יכולות הייצור של החברה בתחום רכיבי הזיכרון המיועדים ליישומי בינה מלאכותית (AI) ומחשוב ענן בעולם.
אספקת הציוד החדש והתקנתו במפעל צפויות להתחיל במחצית השנייה של שנת 2028, כאשר הפרויקט מסמן העמקה של שיתוף הפעולה בין ארה"ב ליפן בשרשרת האספקה של רכיבי הזיכרון הגלובליים.
גל ההשקעות המסיבי וההתרחבות המהירה של יצרניות השבבים הגדולות מגיעים על רקע משבר השבבים הנוכחי. הדרישה העצומה והפתאומית לכוח מחשוב ורכיבי זיכרון מתקדמים עבור מגזר הבינה המלאכותית יצרה עומס חריג על קווי הייצור הקיימים. עומס זה הוביל לעליות מחירים חדות ולבעיות אספקה מורכבות, אשר השפיעו לרעה על מגזרים טכנולוגיים ותעשייתיים אחרים שנאלצו להתמודד עם מחסור ברכיבים ובזמני אספקה ארוכים.
הרחבת מפעל הייצור בהירושימה
אתר הייצור בהירושימה משמש כבסיס מרכזי עבור מיקרון לייצור זיכרון DRAM בטכנולוגיית 1β. המפעל היה הראשון להטמיע ליתוגרפיית EUV עבור ייצור שבבים בטכנולוגיית 1γ.
בניגוד לשיפורי הייצור להם אנו רגילים מתחומים אחרים בהם מציינים גודל בננומטר (nm) או אנגסטרום (Å) כיום, שבבי ה-DRAM מגיעים בטכנולוגיית ייצור שונה המתבססת כרגע על ייצור 10nm שמשודרג מדור לדור ומקבל אות שונה בכל פעם. יצרניות הזיכרון עברו להשתמש באלפבית היווני לסימון שדרוג הייצור, עם ייצור ה-1β (בטא) ו-1γ (גמא).
ארכיטקטורה וטכנולוגיה
ההרחבה החדשה ממוקדת במעבר מייצור שבבים בטכנולוגיית 1β הנוכחית לייצור מרוכז בתהליך ה-1γ המתקדם. זיכרון ה-HBM4 של החברה, המיועד עבור פלטפורמת Vera Rubin של אנבידיה (NVIDIA), כבר נכנס לשלב של ייצור המוני.
במסגרת דיווחיה הפיננסיים לרבעון השלישי של שנת 2026, חשפה החברה כי דגימות הסמכה של זיכרון מסוג 1γ 256GB DDR5 RDIMM כבר נשלחו לשותפות בתחום השרתים. במקביל, החברה החלה בייצור המוני של זיכרון 1γ 16Gb LPDDR5X עבור יצרניות סמארטפונים מובילות.
חשש מעודף היצע בשוק השבבים
מחזור ההתרחבות המהיר בתעשיית השבבים מעורר במקביל חששות מפני עודף היצע פוטנציאלי בשוק. מפעלי שבבים דורשים בדרך כלל תקופה של לפחות שלוש שנים מרגע הנחת אבן הפינה ועד להתקנת הציוד וייצוב התפוקה, מה שאומר שחלק ניכר מגל ההשקעות הנוכחי לא יתורגם לתפוקה בפועל לפני שנת 2028.
פער זמנים זה יוצר חשש כי התעשייה עלולה להתמודד עם עודף היצע במידה והביקוש ייחלש בדיוק כאשר כושר ייצור חדש ייכנס לפעילות במספר אזורים בעולם במקביל.
על הרקע הזה, גם המתחרות הדרום-קוריאניות מגבירות את קצב ההתרחבות. סמסונג מתכננת להפעיל באופן מלא את מפעל P4 בפיונגטק בנובמבר הקרוב, ולאחר מכן לבצע הגברה הדרגתית של המפעלים P5-1 בשנת 2028 ו-P5-2 בשנת 2030.
מן הצד השני, חברת SK hynix מכוונת להפעלה מלאה של מפעל M15X בצ'אונגז'ו עד שנת 2027 ומתכננת להתחיל בבניית מפעל M17 בשנה הבאה, עם צפי לתחילת ייצור במחצית הראשונה של שנת 2029.
לוחות זמנים
פרויקט הרחבת המפעל בהירושימה מתוכנן לעבור לשלבי התקנת המערכות והציוד הטכנולוגי במהלך המחצית השנייה של שנת 2028. התפוקה בפועל מהמבנים החדשים צפויה להשתלב בשוק בשנים שלאחר מכן, בהתאם לקצב ייצוב קווי הייצור החדשים.
