זכרונות V-NAND דור 6 (מקור סמסונג)

סמסונג מכריזה על שבבי זיכרון V-NAND מהדור השישי

| יום שלישי, 6 באוגוסט 2019, 17:33 | חומרה, מחשבים

ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה רשמית כי היא החלה בייצור המוני של שבבי זיכרון V-NAND מהדור השישי של החברה שישתמשו ב-1XX שכבות ויגיעו בשלב הראשוני בנפח של 256Gb כשהם ישולבו בכונני SSD בנפח של 250GB הנמצאים כעת בייצור.

הדור השישי של שבבי ה-V-NAND של סמסונג מגיע בפרק זמן קצר יחסית של 13 חודשים בלבד לאחר השקת שבבי ה-V-NAND מהדור החמישי, כאשר החברה ממשיכה לקדם את תחום זכרונות ה-NAND משנה לשנה ולהציע פתרונות אחסון מהירים ובנפחים גדולים יותר.

סמסונג הצליחה להקטין את זמן הכתיבה לפחות מ-450μs (מיקרו-שניות) ואת זמן הקריאה לפחות מ-45μs, שיפור של יותר מ-10% לעומת הדור הקודם כאשר היא מורידה את הצריכה החשמלית ב-15%. בתוך שבבי ה-V-NAND החדשים יהיה ניתן למצוא 136 שכבות של תאי 3D CTF (ר”ת charge trap flash) השומרים 3 ביטים (bit) של זיכרון כל אחד.

זכרונות V-NAND דור 6 (מקור סמסונג)

סמסונג צופה כי היא תציע שבבי V-NAND ל-SSD ו-eUFS בנפח של 512Gb במהלך החציון השני של 2019, זאת בנוסף לכונן ה-SSD בנפח 250GB הנוכחי.

הדור השישי והחדש מאפשר לסמסונג ליישר קו עם חברות דוגמת SK Hynix שהציגו מוקדם יותר השנה שבבי NAND בעלי 128 שכבות ולקדם את תחום שבבי הזיכרון הלאה לשבבי זיכרון בעלי נפח גבוה יותר ומהירות העברת נתונים גדולה יותר.

מקורות
samsung
במאגר הקופונים שלנו כבר ביקרתם?
סמארטפונים וגאדג'טים במחירים נוחים ובמשלוח ישיר עד הבית
לחצו כאן
תגובות לכתבה
גאדג'טי | Gadgety
ניווט באתר
קטגוריות
גאדג'טי
חיפוש כתבות