לפני חודש בלבד שמענו על כך שסמסונג מתקדמת צעד נוסף במעבר לייצור בתהליך בגודל 5 ננו-מטר באמצעות תהליך EUV, וכעת אנחנו מגלים כי החברה התחילה לעבוד עוד לפני כן על ה-Exynos 9825 אשר מיוצרת בתהליך ה-EUV המוזכר ובגודל 7 ננו-מטר. למערכת השבבים החדשה ציפינו מזה לא מעט זמן עם הידיעה כי ההכרזה על ה-Galaxy Note 10 נמצאת מעבר לפינה, אך נראה כי סמסונג מכוונת ליישר קו עם מערכת השבבים מבית קוואלקום ולא לבצע קפיצת מדרגה משמעותית קדימה.
כמו קודמתה, ה-Exynos 9825 מורכבת מזוג ליבות Moongoose M4 בתדר מירבי של 2.73 גיגה-הרץ, יחד עם זוג ליבות עוצמתיות נוספות מסוג Cortex-A75 בתדר מירבי של 2.4 גיגה-הרץ ו-4 ליבות חסכוניות בחשמל מסוג Cortex-A55 בתדר מירבי של 1.95 גיגה-הרץ. מלבד תדר הריצה הגבוה יותר של זוג ליבות ה-Cortex-A75 שעלה מ-2.31 גיגה-הרץ ל-2.4 גיגה-הרץ, סמסונג לא שיפרה חלקים נוספים במערך הליבות.
המאיץ הגרפי שבמערכת השבבים ואחראי גם על אופן הריצה של משחקים על המכשיר הינו ה-Mali G76MP12, אך הפעם סמסונג העלתה את תדר הריצה ומעידה כי הדבר צפוי לשפר את הביצועים בצד הגרפי. תדר הריצה של אותו מאיץ גרפי במערכת השבבים הקודמת עמד על 702 מגה-הרץ, אך איננו יודעים מה הוא תדר הריצה הנוכחי מלבד העובדה שסמסונג מעידה כי העלתה אותו.
יכולותיהן של מערכת השבבים החדשה ומערכת השבבים Exynos 9820 זהות כמעט לחלוטין, וביניהן תוכלו לבצע השוואה בטבלה הבאה:
Exynos 9820 | Exynos 9825 | |
---|---|---|
תצוגה | עד WQUXGA בפריסה של 3840 על 2400 פיקסלים או 4K UHD בפריסה של 4096 על 2160 פיקסלים | עד WQUXGA בפריסה של 3840 על 2400 פיקסלים או 4K UHD בפריסה של 4096 על 2160 פיקסלים |
מערך הליבות | 2 ליבות Moongoose M4 בתדר מירבי 2.73 גיגה-הרץ 2 ליבות Cortex-A75 בתדר מירבי 2.31 גיגה-הרץ 4 ליבות Cortex-A55 בתדר מירבי 1.95 גיגה-הרץ | 2 ליבות Moongoose M4 בתדר מירבי 2.73 גיגה-הרץ 2 ליבות Cortex-A75 בתדר מירבי 2.4 גיגה-הרץ 4 ליבות Cortex-A55 בתדר מירבי 1.95 גיגה-הרץ |
מאיץ גרפי | ARM Mali G76 MP12 בתדר מירבי 702 מגה-הרץ | ARM Mali G76 MP12 בתדר גבוה מ-702 מגה-הרץ |
זיכרון עבודה | LPDDR4X בתדר מירבי 2093 מגה-הרץ | LPDDR4X בתדר מירבי 2093 מגה-הרץ |
צילום | חיישן אחורי בודד: 22 מגה פיקסל חיישן קדמי בודד: 22 מגה פיקסל זוג חיישני צילום אחוריים: 16 מגה פיקסל | חיישן אחורי בודד: 22 מגה פיקסל חיישן קדמי בודד: 22 מגה פיקסל זוג חיישני צילום אחוריים: 16 מגה פיקסל |
הסרטה וקידוד | עד 8K בקצב של 30 פריימים לשנייה או עד 4K בקצב של 150 פריימים לשנייה מקודדים: H.265/HEVC, H.264, VP9 | עד 8K בקצב של 30 פריימים לשנייה או עד 4K בקצב של 150 פריימים לשנייה מקודדים: H.265/HEVC, H.264, VP9 |
מודם | Shannon 5000 (דור רביעי) מהירות הורדה מירבית: 2 גיגה-בייט לשנייה מהירות העלאה מירבית: 316 מגה-בייט לשנייה | Shannon 5000 (דור רביעי) מהירות הורדה מירבית: 2 גיגה-בייט לשנייה מהירות העלאה מירבית: 316 מגה-בייט לשנייה |
אחסון | UFS 3.0 / UFS 2.1 | UFS 3.0 / UFS 2.1 |
יחידת עיבוד נפרדת לפעולות בינה מלאכותית (NPU) | יש | יש |
תהליך ייצור | 8 ננו-מטר | 7 ננו-מטר EUV |
כפי שניתן לראות לעיל, מלבד המעבר לתהליך ייצור בגודל 7 ננו-מטר ובאמצעות טכנולוגיית ה-Extreme Ultraviolet, סמסונג לא שינתה הרבה מבחינת המערכת ככזו העצמאית בשטח אלא רק העלתה את הרמה במעט על מנת להשתוות ל-Snapdragon 855 הנמצאת במכשיריה הנמכרים בארצות הברית.
בפשטות, תהליך ה-EUV המוזכר מאפשר לסמסונג להחליף את קרני הלייזר בהם השתמשה על מנת לחרוט את מבנה השבב עד היום, ולהחליפן בקרני האור האולטרה-סגולות שמציעות לה דיוק רב יותר תוך הפיכת תהליך ה-EUV לנגיש וכזה שאפשר להעביר אותו לקהל הרחב ללא קפיצה בעלויות.
חלק מהפוסטים באתר כוללים קישורי תכניות שותפים, עבורם נקבל עמלה עם ביצוע רכישה בפועל של מוצרים. עמלה זו לא מייקרת את העלות הסופית של המוצרים עבורכם.
הסקירות והתכנים המופיעים באתר מהווים המלצה בלבד, וכך יש להתייחס אליהם. כל המחירים המופיעים באתר נכונים ליום הפרסום בלבד והאחריות לקניית מוצר או שירות כזה או אחר מוטלת עליך בלבד – השימוש באתר בהתאם לתנאי השימוש והפרטיות.