Exynos 9825 (תמונה: סמסונג)

Exynos 9825 (תמונה: סמסונג)

לקראת ה-Note 10: סמסונג מכריזה על מערכת השבבים Exynos 9825

| יום רביעי, 7 באוגוסט 2019, 15:59 | חומרה, סלולר

לפני חודש בלבד שמענו על כך שסמסונג מתקדמת צעד נוסף במעבר לייצור בתהליך בגודל 5 ננו-מטר באמצעות תהליך EUV, וכעת אנחנו מגלים כי החברה התחילה לעבוד עוד לפני כן על ה-Exynos 9825 אשר מיוצרת בתהליך ה-EUV המוזכר ובגודל 7 ננו-מטר. למערכת השבבים החדשה ציפינו מזה לא מעט זמן עם הידיעה כי ההכרזה על ה-Galaxy Note 10 נמצאת מעבר לפינה, אך נראה כי סמסונג מכוונת ליישר קו עם מערכת השבבים מבית קוואלקום ולא לבצע קפיצת מדרגה משמעותית קדימה.

כמו קודמתה, ה-Exynos 9825 מורכבת מזוג ליבות Moongoose M4 בתדר מירבי של 2.73 גיגה-הרץ, יחד עם זוג ליבות עוצמתיות נוספות מסוג Cortex-A75 בתדר מירבי של 2.4 גיגה-הרץ ו-4 ליבות חסכוניות בחשמל מסוג Cortex-A55 בתדר מירבי של 1.95 גיגה-הרץ. מלבד תדר הריצה הגבוה יותר של זוג ליבות ה-Cortex-A75 שעלה מ-2.31 גיגה-הרץ ל-2.4 גיגה-הרץ, סמסונג לא שיפרה חלקים נוספים במערך הליבות.

Exynos 9825 NPU (תמונה: סמסונג)

Exynos 9825 NPU (תמונה: סמסונג)

המאיץ הגרפי שבמערכת השבבים ואחראי גם על אופן הריצה של משחקים על המכשיר הינו ה-Mali G76MP12, אך הפעם סמסונג העלתה את תדר הריצה ומעידה כי הדבר צפוי לשפר את הביצועים בצד הגרפי. תדר הריצה של אותו מאיץ גרפי במערכת השבבים הקודמת עמד על 702 מגה-הרץ, אך איננו יודעים מה הוא תדר הריצה הנוכחי מלבד העובדה שסמסונג מעידה כי העלתה אותו.

יכולותיהן של מערכת השבבים החדשה ומערכת השבבים Exynos 9820 זהות כמעט לחלוטין, וביניהן תוכלו לבצע השוואה בטבלה הבאה:

 Exynos 9820Exynos 9825
תצוגהעד WQUXGA בפריסה של 3840 על 2400 פיקסלים
או
4K UHD בפריסה של 4096 על 2160 פיקסלים
עד WQUXGA בפריסה של 3840 על 2400 פיקסלים
או
4K UHD בפריסה של 4096 על 2160 פיקסלים
מערך הליבות2 ליבות Moongoose M4 בתדר מירבי 2.73 גיגה-הרץ
2 ליבות Cortex-A75 בתדר מירבי 2.31 גיגה-הרץ
4 ליבות Cortex-A55 בתדר מירבי 1.95 גיגה-הרץ
2 ליבות Moongoose M4 בתדר מירבי 2.73 גיגה-הרץ
2 ליבות Cortex-A75 בתדר מירבי 2.4 גיגה-הרץ
4 ליבות Cortex-A55 בתדר מירבי 1.95 גיגה-הרץ
מאיץ גרפיARM Mali G76 MP12 בתדר מירבי 702 מגה-הרץARM Mali G76 MP12 בתדר גבוה מ-702 מגה-הרץ
זיכרון עבודה LPDDR4X בתדר מירבי 2093 מגה-הרץLPDDR4X בתדר מירבי 2093 מגה-הרץ
צילוםחיישן אחורי בודד: 22 מגה פיקסל
חיישן קדמי בודד: 22 מגה פיקסל
זוג חיישני צילום אחוריים: 16 מגה פיקסל
חיישן אחורי בודד: 22 מגה פיקסל
חיישן קדמי בודד: 22 מגה פיקסל
זוג חיישני צילום אחוריים: 16 מגה פיקסל
הסרטה וקידודעד 8K בקצב של 30 פריימים לשנייה
או
עד 4K בקצב של 150 פריימים לשנייה
מקודדים:
H.265/HEVC, H.264, VP9
עד 8K בקצב של 30 פריימים לשנייה
או
עד 4K בקצב של 150 פריימים לשנייה
מקודדים:
H.265/HEVC, H.264, VP9
מודםShannon 5000 (דור רביעי)
מהירות הורדה מירבית: 2 גיגה-בייט לשנייה
מהירות העלאה מירבית: 316 מגה-בייט לשנייה
Shannon 5000 (דור רביעי)
מהירות הורדה מירבית: 2 גיגה-בייט לשנייה
מהירות העלאה מירבית: 316 מגה-בייט לשנייה
אחסוןUFS 3.0 / UFS 2.1UFS 3.0 / UFS 2.1
יחידת עיבוד נפרדת לפעולות בינה מלאכותית (NPU)ישיש
תהליך ייצור8 ננו-מטר 7 ננו-מטר EUV

כפי שניתן לראות לעיל, מלבד המעבר לתהליך ייצור בגודל 7 ננו-מטר ובאמצעות טכנולוגיית ה-Extreme Ultraviolet, סמסונג לא שינתה הרבה מבחינת המערכת ככזו העצמאית בשטח אלא רק העלתה את הרמה במעט על מנת להשתוות ל-Snapdragon 855 הנמצאת במכשיריה הנמכרים בארצות הברית.

בפשטות, תהליך ה-EUV המוזכר מאפשר לסמסונג להחליף את קרני הלייזר בהם השתמשה על מנת לחרוט את מבנה השבב עד היום, ולהחליפן בקרני האור האולטרה-סגולות שמציעות לה דיוק רב יותר תוך הפיכת תהליך ה-EUV לנגיש וכזה שאפשר להעביר אותו לקהל הרחב ללא קפיצה בעלויות.

במאגר הקופונים שלנו כבר ביקרתם?
סמארטפונים וגאדג'טים במחירים נוחים ובמשלוח ישיר עד הבית
לחצו כאן
תגובות לכתבה
גאדג'טי | Gadgety
ניווט באתר
קטגוריות
גאדג'טי
חיפוש כתבות