⭐ נקודות עיקריות
- סמסונג מציגה דור חדש של זיכרונות ואחסון בתצורת 3D, המיועד להתמודד עם עומסי העבודה של בינה מלאכותית ומרכזי נתונים.
- לצד רכיבי הקונספט חשפה החברה את V10 BV-NAND, זיכרון האחסון הראשון בתעשייה עם יותר מ-400 שכבות וצפיפות גבוהה בכ-58% מהדור הקודם.
- ארכיטקטורת zHBM ממקמת את הזיכרון ישירות מעל מאיץ ה-AI, עם הבטחה לשיפור משמעותי בביצועים, בצפיפות הזיכרון וביעילות האנרגטית.
- רכיבי zHBM ו-zNAND-O עדיין נמצאים בשלב הקונספט, כך שהטכנולוגיות צפויות להגיע למוצרים מסחריים רק בשנים הקרובות.
חברת Samsung הציגה את מפת הדרכים שלה לדור הבא של פתרונות זיכרון ואחסון מבוססי ארכיטקטורת 3D במסגרת כנס Future of Memory and Storage 2026 בקליפורניה.
אחד השינויים הרחבים ביותר במבנה הרכיבים נוגע להערמת הזיכרון ישירות מעל המעבדים, מהלך שנועד לתת מענה לדרישות החישוב והאנרגיה של תשתיות בינה מלאכותית (AI) ומחשוב מבוזר.
הטכנולוגיה המרכזית שהציגה החברה היא zHBM, ארכיטקטורת זיכרון 3D חדשה שמיועדת למעבדי בינה מלאכותית בתשתיות ענן.
הרכיב הזה משנה את העיצוב המקובל שבו הזיכרון ממוקם לצד מעבד ה-AI, ומאפשר חיבור אנכי ישיר שמקצר את המרחק הפיזי שעובר המידע.
חידוש בולט נוסף הוא השילוב של טכנולוגיית חיבור פרוסות (Wafer Bonding), שנועדה לאפשר העברת נתונים במהירות גבוהה לצד צמצום צריכת האנרגיה והפחתת פליטת החום במערכות מחשוב.
הכירו את ה-zHBM ו-zNAND-O
זיכרון הקונספט zHBM מבוסס על תכנון אנכי מעל מאיץ ה-AI. לדברי החברה, מערכת שתשלב את zHBM צפויה להציע ביצועים הגבוהים פי 8 בהשוואה לזיכרון HBM5, לצד צפיפות זיכרון הגדולה פי 10 ושיפור של פי 3 ביעילות האנרגטית.
החברה מציינת כי הארכיטקטורה מפחיתה את התנגדות החום ביותר מחצי, ומאפשרת שילוב רכיבי IP מותאמים אישית לפי דרישת הלקוח בין שכבת הזיכרון למאיץ.
לצד זה הציגה סמסונג את zNAND-O, פתרון אחסון NAND במבנה 3D המיועד ליישומי Edge AI ועיבוד נתונים בזמן אמת.
הרכיב מפותח בתצורות של 4 ו-8 שכבות, ונועד לספק יעילות שטח גדולה יותר, קצבי קלט/פלט משופרים ושיהוי (Latency) נמוך עבור מכשירי קצה.
ארכיטקטורת V10 BV-NAND
החברה חשפה לראשונה בתעשייה את זיכרון ה-V10 BV-NAND (Bonding V-NAND), הכולל מעל 400 שכבות. ההכרזה מגיעה 13 שנים לאחר שהציגה החברה את טכנולוגיית ה-V-NAND הראשונה שלה בשנת 2013.
שימוש בטכנולוגיית חיבור פרוסות להערמת תאי הזיכרון מאפשר להגדיל את צפיפות האחסון בכ-58% בהשוואה לדור הקודם (V9).
לפי החברה, הרכיב החדש מציג שיפור בביצועי הקריאה, הכתיבה ומהירות הקלט/פלט (I/O) לטיפול בנפחי נתונים גדולים במרכזי מידע.
ארכיטקטורה וטכנולוגיה
מפת הדרכים של סמסונג לתחום ה-AI כוללת מעבר מזיכרונות HBM4 לפתרונות מתקדמים יותר. החברה החלה בייצור המוני של זיכרון HBM4 מבוסס תהליך 4nm ו-DRAM מסוג 1c בחודש פברואר, ופתחה במאי במשלוח דוגמאות של זיכרון HBM4E, לצד הצגת מודל ראשוני של HBM5.
בנוסף, הוצג זיכרון ה-LPDDR5X-PIM, המשלב טכנולוגיית עיבוד בתוך הזיכרון (Processing-in-Memory). המערכת מבצעת את עיבוד הנתונים על גבי רכיב הזיכרון עצמו, מה שמפחית את תנועת המידע אל המעבד המרכזי וחוסך באנרגיה.
זמינות ולוחות זמנים
סמסונג החלה במשלוח דוגמאות של זיכרון ה-HBM4E במאי 2026, בעוד דגמי zHBM ו-zNAND-O מוצגים כעת כקונספט טכנולוגי לפיתוח עתידי.
לוחות הזמנים המלאים של רכיבי V10 BV-NAND ופתרונות ה-zHBM ייקבעו בהתאם לשילובם בתכנוני המעבדים של לקוחות החברה.
