במרכז תעשיית השבבים: עסקאות הענק של ASML ואגירת הציוד בסין

TWINSCAN NXE:3800E (מקור ASML) TWINSCAN NXE:3800E (מקור ASML)

נקודות עיקריות

  • ASML מרחיבה את שיתופי הפעולה סביב מערכות High NA EUV ומעבר למסכות 12 אינץ'.
  • סמסונג תשלב את המערכות בייצור DRAM ו-TSMC נערכת לייצור המוני מ-2030.
  • אינטל עיבדה מעל מיליון פרוסות ומייצרת בשכבות נבחרות עבור Panther Lake.
  • לפי דיווח, יצרניות בסין אגרו כלי DUV להבטחת התרחבות לשלוש שנים מול חשש מסנקציות.

חברת הליתוגרפיה ההולנדית ASML, ספקית מערכות החשיפה שבאמצעותן מיוצרים השבבים המתקדמים בעולם, הציגה שורה של שיתופי פעולה חדשים עם שלוש יצרניות השבבים הגדולות, לצד אתגרים גאופוליטיים מתגברים מול השוק הסיני.

סמסונג הודיעה שתשלב את מערכות High NA EUV בייצור המוני של זיכרונות DRAM, בעוד ש-TSMC נערכת לייצור בצמתים מתקדמים מ-2030, ושתי החברות מצטרפות יחד עם אינטל ליוזמה תעשייתית למעבר למסכות פוטוליתוגרפיה בגודל 12 אינץ'. אינטל מצידה חשפה שכבר עיבדה מעל מיליון פרוסות סיליקון בטכנולוגיה.

באותו הזמן, כך לפי הדיווח, יצרניות זכרונות בסין אגרו מלאי ציוד ליתוגרפיה שיספיק לתוכניות ההתרחבות שלהן לשלוש השנים הבאות.

כשמסתכלים על כל התמונה יחד, ההתפתחויות האלה ממחישות את מעמדה של ASML כספקית הציוד שמכתיבה את קצב פיתוח השבבים בעידן ה-AI.

ציר מרכזי בתעשיית השבבים העולמית

ASML מהווה את הגורם הטכנולוגי המרכזי בתעשיית ייצור השבבים המתקדמת הודות לשליטתה הבלעדית בטכנולוגיית ליתוגרפיה בקרני אולטרה-סגול קיצוני (EUV).

הדור הנוכחי של המערכות, High NA EUV, מציע כושר הפרדה גבוה יותר שנועד להגדיל את צפיפות הטרנזיסטורים, לפשט תהליכי ייצור מורכבים ולענות על דרישות העיבוד והיעילות של עידן ה-AI.

התלות של יצרניות השבבים המובילות בציוד זה הופכת את החברה למובילת מפות הדרכים הטכנולוגיות בעולם המחשוב. שיתוף הפעולה ההדוק עם היצרניות מאפשר תיאום של שרשרת האספקה כולה שנים קדימה לקראת כניסה לייצור בצמתים מתקדמים.

TSMC: תוכנית ארוכת טווח לקווי ייצור מתקדמים

ASML ו-TSMC הכריזו על יוזמה תעשייתית משותפת להובלת המעבר למסכות 12 אינץ' עבור מערכות High NA EUV.

היוזמה הזו מציבה יעד להקמת קו פיילוט למסכות 12 אינץ' עד שנת 2031, במטרה לאפשר מוכנות מלאה של מערכות הליתוגרפיה לייצור בצמתים מתקדמים עד שנת 2033.

TSMC מתכננת להתחיל בשימוש בטכנולוגיית High NA EUV בייצור המוני של צמתים מתקדמים החל משנת 2030.

להערכת החברה, מספר השכבות שידרשו שימוש בטכנולוגיה זו יעלה ככל שארכיטקטורות הטרנזיסטורים הנדרשות ליישומי AI יהפכו למורכבות יותר.

כאן חשוב להבחין בין שני מסלולים מקבילים. מערכות High NA EUV נכנסות לייצור כבר עכשיו ופועלות עם מסכות 6 אינץ' הקיימות, ולכן לוח הזמנים של סמסונג ושל TSMC לא תלוי במסכות המוגדלות.

המעבר ל-12 אינץ' הוא שדרוג נפרד שיגיע רק בסוף העשור, ומטרתו לאפשר לנצל את מלוא יכולות המערכות לאחר שאלה כבר יהיו בייצור שוטף.

ליתוגרפיית High NA EUV (מקור ASML)
ליתוגרפיית High NA EUV (מקור ASML)

סמסונג: פריצת דרך בייצור זיכרונות DRAM

סמסונג הודיעה על הרחבת שיתוף הפעולה האסטרטגי עם ASML סביב ליתוגרפיית High NA EUV וטכנולוגיות ייצור מתקדמות.

במסגרת ההסכם, סמסונג מצטרפת ליוזמה לפיתוח פלטפורמת מסכות צילום (Photomasks) בגודל 12 אינץ', מעבר מפורמט ה-6 אינץ' הוותיק ששימש את התעשייה במשך עשורים.

המעבר למסכות מוגדלות צפוי להעלות את תפוקת מפעלי הייצור, להוזיל את עלויות הייצור ולהסיר את מגבלות תפירת החשיפה (Stitching).

בנוסף, סמסונג מתכננת להטמיע את מערכות ה-High NA EUV של ASML בייצור המוני של זיכרונות DRAM לראשונה בתעשייה עד שנת 2028, מהלך שנועד לתמוך בהמשך מזעור רכיבי הזיכרון.

עבור הצרכן, המשמעות נוגעת למחירי הזיכרון. DRAM הוא אחד הרכיבים היקרים בסמארטפונים ובמחשבים ניידים, וייצור צפוף יותר על פרוסת סיליקון בודדת הוא חלק משמעותי בתהליך להורדת העלות ליחידת זיכרון.

אינטל: הטמעה מוקדמת והגעה למיליון פרוסות סיליקון

Intel Foundry ו-ASML הציגו התקדמות בשימוש במערכות High NA EUV, כאשר מעל מיליון פרוסות סיליקון (Wafers) כבר עובדו במתקני אינטל.

היקף זה כולל בדיקות הסמכה ראשוניות, מחקר ופיתוח, וייצור סדרתי בשכבות נבחרות עבור חלק ממעבדי Intel Core Ultra Series 3 המוכרים תחת שם הקוד Panther Lake.

לפי החברה, רכיבים המיוצרים בתהליך Intel 18A באמצעות High NA בשכבות נבחרות מציגים ביצועים התואמים או עולים על שכבות מקבילות שיוצרו בפלטפורמת ה-NXE הקודמת.

במקביל לייצור השוטף עם מסכות 6 אינץ' הנוכחיות, אינטל פועלת מזה יותר משלוש שנים לקידום התשתית התעשייתית שתאפשר את המעבר למסכות מוגדלות.

ASML EXE:5000 High NA EUV ב-Fab 25 (מקור אינטל)
ASML EXE:5000 High NA EUV ב-Fab 25 (מקור אינטל)

סין: אגירת ציוד DUV מול הגבלות ייצוא

לצד שיתופי הפעולה במערב, ASML צריכה לעמוד מול אתגרים בשוק הסיני, סביב מערכות DUV. מדובר בטכנולוגיית הליתוגרפיה של הדור הקודם, המבוססת על אור אולטרה-סגול עמוק (Deep Ultraviolet) והיא מדויקת פחות מ-EUV.

מערכות אלו עדיין נדרשות לייצור חלק גדול מהשבבים המסחריים, והן היחידות שיצרניות סיניות יכולות לרכוש כיום תחת הגבלות הייצוא הקיימות.

לפי דיווח ב-Financial Times, יצרניות הזיכרונות הסיניות CXMT ו-YMTC אגרו מספיק כלי ליתוגרפיה מסוג DUV מתוצרת ASML כדי להבטיח את תוכניות ההתרחבות שלהן לשלוש השנים הבאות, גם בתרחיש של ניתוק משרשרת האספקה.

המהלך מתרחש על רקע לחץ מצד ממשלת ארה"ב על ממשלת הולנד לעצור לחלוטין ייצוא ציוד לסין, כולל הצעת החוק MATCH Act שנועדה לחייב מדינות בעלות ברית להטיל הגבלות גם על מכונות DUV ותיקות.

כל זה קורה בזמן שעוד ניסיונות ייצור מקומיים בסין, בהם מערכות של Shanghai Yuliangsheng Technology, עדיין נמצאים בהיקפי ייצור ראשוניים.

השוואת מפרטים