סמסונג משיקה שבב זיכרון eUFS 3.0 מהיר לסמארטפונים בנפח 512 גיגה בייט

שבב זיכרון eUFS 3.0 512GB (מקור סמסונג)

ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה על ייצור שבב זיכרון אחסון בנפח 512GB בטכנולוגיית eUFS 3.0 (ר”ת embedded Universal Flash Storage), הראשון מסוגו בתעשייה, שיאפשר למכשירים ניידים דוגמת טלפונים להציג נפח אחסון גבוה ומהיר במיוחד.

שבב ה-eUFS החדש מגיע בנפח קטן יותר לעומת השבב הקודם של החברה, אך עם זאת מצליח לספק קפיצה של פי 2.1 במהירות השבב תוך כדי שסמסונג מכריזה כי היא עובדת על שבבי eUFS 3.0 בנפח 1TB.

השימוש בטכנולוגיית ה-eUFS 3.0 מצליחה להגדיל את מהירות השבב החדש לעומת שבב ה-eUFS 2.1 1TB הקודם של סמסונג עם מהירות קריאה רציפה של עד 2100MB/s (פי 2.1), כתיבה של עד 410MB/s (פי 1.46) כשגם מהירות הקריאה והכתיבה הרנדומלית שופרו ועומדים על קריאה של 63,000IOPS (פי 1.09) וכתיבה של 68,000IOPS (פי 1.36).

שבב זיכרון eUFS 3.0 512GB (מקור סמסונג)
שבב זיכרון eUFS 3.0 512GB (מקור סמסונג)

נכון להרגע סמסונג תציע את שבבי ה-eUFS 3.0 בנפח של 128GB ו-512GB, כאשר היא מתכננת להשיק שבבי 1TB ו-256GB במחצית השניה של 2019.

בעוד תחום הזיכרון הנייד הגיע לנפח של 1TB עם שבב ה-eUFS 2.1 הקודם של סמסונג וכרטיסי ה-MicroSD של סנדיסק ו-Micron, החברות שמות כעת דגש גם על מהירות הזיכרון עם השימוש בתקן eUFS 3.0, ממש כמו גם הצגת תקן ה-MicroSD Express, על מנת לאפשר עבודה מהירה יותר מול הזכרונות ולא רק נפח אחסון גבוה יותר.


חלק מהפוסטים באתר כוללים קישורי תכניות שותפים, עבורם נקבל עמלה עם ביצוע רכישה בפועל של מוצרים. עמלה זו לא מייקרת את העלות הסופית של המוצרים עבורכם.

הסקירות והתכנים המופיעים באתר מהווים המלצה בלבד, וכך יש להתייחס אליהם. כל המחירים המופיעים באתר נכונים ליום הפרסום בלבד והאחריות לקניית מוצר או שירות כזה או אחר מוטלת עליך בלבד – השימוש באתר בהתאם לתנאי השימוש והפרטיות.

השוואת מפרטים