שבב זיכרון eUFS 3.1 512GB (מקור סמסונג)

סמסונג עוברת לייצור המוני של שבבי eUFS 3.1 בנפח 512GB לטלפונים

| יום רביעי, 18 במרץ 2020, 12:40 | טכנולוגיה, סלולר

חברת סמסונג (Samsung) הכריזה על המעבר לייצור המוני של שבבי אחסון בנפח של עד 512GB בטכנולוגיית eUFS 3.1 (ר”ת embedded Universal Flash Storage), שבב זיכרון המכפיל פי 3 את מהירות הכתיבה הרציפה לעומת הדור הקודם ומאפשר לראשונה לחצות את סף ה-1GB/s.

שבב ה-eUFS 3.1 החדש של סמסונג מאמץ את תקן ה-UFS 3.1 העדכני של ארגון ה-JEDEC ומגיע כשנה בלבד אחרי שבב ה-eUFS 3.0 הקודם של סמסונג. השבב מאפשר שיפור ביצועים ניכר לעומת הדור הקודם כפתרון האחסון המהיר למכשירי הדור הבא בתחום הסלולר שנועד לענות על הצורך במהירות כתיבה גבוהה יותר.

השימוש בטכנולוגיית ה-UFS 3.1 ובשבב ה-eUFS החדש משאיר את מהירות הקריאה הרציפה על עד 2100MB/s, אך מקפיץ את מהירות הכתיבה הרציפה לעד 1200MB/s (פי 3), כשגם מהירות הקריאה והכתיבה הרנדומלית שופרו ועומדים על קריאה של 100,000IOPS (פי 1.6) וכתיבה של 70,000IOPS (פי 1.03) לעומת שבב ה-eUFS 3.0 הקודם של החברה.

שבב זיכרון eUFS 3.1 512GB (מקור סמסונג)

שבב ה-eUFS 3.1 החדש יהיה זמין בנפחים של 128GB, 256GB ו-512GB והוא צפוי להגיע למכשירים הסלולריים בהמשך השנה.

מדובר על אחד משבבי הזיכרון הראשונים כיום שמגיעים עם טכנולוגיית ה-UFS 3.1 המאפשרת לשבבי הזיכרון במכשירים הניידים להגיע למהירויות עבודה גבוהות יותר מפתרונות מקבילים בעולם המחשוב, על מנת לאפשר למכשירים הסלולריים את הביצועים הדרושים למשימות כבדות, דוגמת הסרטת וידאו ב-8K.

מקורות
samsung
במאגר הקופונים שלנו כבר ביקרתם?
סמארטפונים וגאדג'טים במחירים נוחים ובמשלוח ישיר עד הבית
לחצו כאן
תגובות לכתבה
גאדג'טי | Gadgety
ניווט באתר
קטגוריות
גאדג'טי
חיפוש כתבות