סמסונג תחל את ייצור שבבי ה-2nm ב-2025

אירוע ה-Samsung Foundry Forum 2021 (מקור סמסונג)

סמסונג (Samsung) הציגה במהלך אירוע ה-Samsung Foundry Forum 2021 (להלן SFF21) את תהליכי הייצור העתידיים בהם תשתמש חטיבת בתי היציקה של החברה לייצור שבבי העתיד, אשר כוללים תהליכי בגודל 2nm ו-3nm בטכנולוגיית ה-MBCFET (ר”ת Multi-Bridge-Channel FET) החדשה שלה.

הדבר הגדול הבא בתחום ייצור השבבים הוא המעבר מטכנולוגיית ה-FinFET הוותיקה ל-GAAFET (ר”ת Gate-All-Around), כאשר בית היציקה של סמסונג יצר גרסה משלו לטכנולוגיה עם MBCFET (ר”ת Multi-Bridge-Channel FET) אותה הציגה החברה ב-2019, זאת לעומת אינטל שהציגה את טכנולוגיית ה-RibbonFET מוקדם יותר השנה.

>> הצטרפו לערוץ הטלגרם של גאדג'טי

לפי סמסונג, אנו יכולים לצפות ולראות את שבבי ה-3nm הראשונים בייצור ה-GAA החדש כבר במחצית הראשונה 2022, כאשר הם יציעו גודל הקטן ב-35% עם שיפור ביצועים של 30%, או הקטנת הצריכה ב-50% לעומת שבבי ה-5nm FinFET של החברה. ב-2023 החברה תציג את הדור השני של ייצור ה-3nm שלה ובמחצית השניה של 2025 את ייצור ה-2nm.

השוואה בין PFET, FinFET ו-GAA (מקור סמסונג)

בעוד שההתמקדות של רובנו היא בייצור ה-2nm ו-3nm המתקדמים יותר, בית היציקה של סמסונג עוסק גם בייצור שבבים בתהליכי ייצור “גדולים” יותר, בהם החברה מבצעת מעבר מ-Planar FET ב-28nm לייצור FinFET חדש של החברה ב-17nm, המיועד לספק שבב קטן יותר בעד 43% עם שיפור ביצועים של 39%, או חיסכון בצריכה של עד 49% לעומת שבבי ה-28nm.

בעולם של היום אפשר למצוא שבבים בכל מקום, מהמחשב או המכשיר הסלולרי שלנו המשתמשים בשבבים המתקדמים ביותר אותם בתי יציקה כמו סמסונג יכולים להציע, ועד טלוויזיות, מכשירי בית חכם ועוד, המשתמשים בשבבים בתהליכי ייצור מתקדמים פחות אך חסכוניים הרבה יותר בייצור שלהם.

האירוע המלא:

השוואת מפרטים