שבב זיכרון QLC V-NAND דור 9 (מקור סמסונג)

סמסונג עוברת לייצור המוני של שבבי QLC V-NAND מהדור התשיעי

13.09.2024, 17:00
סמסונג (Samsung) הודיעה כי היא החלה בייצור המוני של שבבי זיכרון V-NAND מהדור התשיעי בתצורת QLC (ר”ת Quad-Level Cell) ובנפח של 1Tb, לראשונה בתעשייה. השבבים מציעים מהירות כתיבה כפולה לעומת הדור הקודם לצד אמינות משופרת בכ~20% וצריכה חשמלית נמוכה יותר בעד 50%, כאשר הם מיועדים...
השוואת מפרטים